uu.seUppsala universitets publikasjoner
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Correlation between divacancy acceptor states in ion implanted n+p Si diodes studied by DLTS
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Jonfysik. Jonfysik.
Vise andre og tillknytning
2006 (engelsk)Konferansepaper, Publicerat paper (Annet (populærvitenskap, debatt, mm))
sted, utgiver, år, opplag, sider
2006.
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-23150OAI: oai:DiVA.org:uu-23150DiVA, id: diva2:50923
Konferanse
Presented at the 2nd CADRES Workshop, Chania, Crete
Tilgjengelig fra: 2007-01-25 Laget: 2007-01-25 Sist oppdatert: 2016-06-22

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Personposter BETA

Jensen, Jens

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Jensen, Jens
Av organisasjonen

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 359 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf