uu.seUppsala universitets publikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Diffusion mechanism of Zn in InP and GaP from first principles
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Fysiska institutionen, Kondenserade materiens teori (Fysik IV).
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Strukturkemi.
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Fysiska institutionen, Kondenserade materiens teori (Fysik IV).
2008 (Engelska)Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics, ISSN 1098-0121, E-ISSN 1550-235X, Vol. 77, nr 11, s. 113201-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The diffusion mechanism of Zn in GaP and InP has been investigated using first-principles computational methods. It is found that the kickout mechanism is the favored diffusion process under all doping conditions for InP, and under all except n-type conditions for GaP. In n-type GaP the dissociative mechanism is probable. In both p-type GaP and InP, the diffusing species is found to be Zn. The activation energy for the kickout process is 2.49 eV in GaP and 1.60 eV in InP, and therefore unintentional diffusion of Zn should be a larger concern in InP than in GaP. The dependence of the activation energy both on the doping conditions of the material and on the stoichiometry is explained, and found to be in qualitative agreement with the experimentally observed dependencies. The calculated activation energies agree reasonably with experimental data, assuming that the region from which Zn diffuses is p type. Explanations are also found as to why Zn tends to accumulate at pn junctions in InP and to why a relatively low fraction of Zn is found on substitutional sites in InP.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. Vol. 77, nr 11, s. 113201-
Nationell ämneskategori
Oorganisk kemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-16521DOI: 10.1103/PhysRevB.77.113201ISI: 000254542800010OAI: oai:DiVA.org:uu-16521DiVA, id: diva2:44292
Tillgänglig från: 2008-05-28 Skapad: 2008-05-28 Senast uppdaterad: 2017-12-08Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Castleton, ChristopherMirbt, Susanne

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Castleton, ChristopherMirbt, Susanne
Av organisationen
Kondenserade materiens teori (Fysik IV)Strukturkemi
I samma tidskrift
Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics
Oorganisk kemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 452 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf