uu.seUppsala universitets publikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Correlation between divacancy acceptor states in ion implanted n+p Si diodes studied by DLTS
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Jonfysik. Jonfysik.
Visa övriga samt affilieringar
2006 (Engelska)Konferensbidrag, Publicerat paper (Övrig (populärvetenskap, debatt, mm))
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2006.
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-23150OAI: oai:DiVA.org:uu-23150DiVA, id: diva2:50923
Konferens
Presented at the 2nd CADRES Workshop, Chania, Crete
Tillgänglig från: 2007-01-25 Skapad: 2007-01-25 Senast uppdaterad: 2016-06-22

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Jensen, Jens

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Jensen, Jens
Av organisationen
Jonfysik
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 362 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf