uu.seUppsala universitets publikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Transient high level majority and minority carrier photocurrents in p-type silicon Schottky barrier diodes II
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
1976 (Engelska)Ingår i: Solid-State Electronics, ISSN 0038-1101, E-ISSN 1879-2405, Vol. 19, s. 653-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1976. Vol. 19, s. 653-
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-257793OAI: oai:DiVA.org:uu-257793DiVA, id: diva2:840538
Tillgänglig från: 2015-07-08 Skapad: 2015-07-08 Senast uppdaterad: 2017-12-04

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Av organisationen
Fasta tillståndets elektronik
I samma tidskrift
Solid-State Electronics
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 703 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf