uu.seUppsala universitets publikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Relative concentration and structure of native defects in GaP
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Fysiska institutionen. Institutionen för fysik och materialvetenskap, Fysik IV. Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Strukturkemi. Condensed Matter Theory.
Institutionen för fysik och materialvetenskap, Fysik IV. Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Strukturkemi. strukturkemi.
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Fysiska institutionen. Institutionen för fysik och materialvetenskap, Fysik IV. Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Strukturkemi. Condensed Matter Theory.
2005 (Engelska)Ingår i: Physical Review B, Vol. 72, s. 195213-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The native defects in the compound semiconductor GaP have been studied using a pseudopotential Density Functional Theory method in order to

determine their relative concentrations and the most stable charge states. The electronic and atomic structures are presented and the defe

ct concentrations are estimated using calculated formation energies. Relaxation effects are taken into account fully and produce negative-U

charge transfer levels for V\sS{P}{} and P\sS{Ga}{}. The concentration of V\sS{Ga}{} is in good agreement with the results of positron ann

ihilation experiments. The charge transfer levels presented compare qualitatively well with experiments where available. The effect of stoi

chiometry on the defect concentrations is also described and is shown to be considerable.

The lowest formation energies are found for P\sS{Ga}{+2} in p-type and V\sS{Ga}{-3} in n-type GaP under P-rich conditions, and for Ga\sS{P}

{-2} in n-type GaP under Ga-rich conditions.

Finally, the finite size errors arising from the use of supercells with periodic boundary conditions are examined.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2005. Vol. 72, s. 195213-
Nyckelord [en]
GaP, semiconductor, point defects, vacancy, intrinsic doping
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik Oorganisk kemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-77485DOI: doi:10.1103/PhysRevB.72.195213OAI: oai:DiVA.org:uu-77485DiVA, id: diva2:105397
Tillgänglig från: 2006-03-15 Skapad: 2006-03-15 Senast uppdaterad: 2011-01-11

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltexthttp://link.aps.org/abstract/PRB/v72/e195213

Personposter BETA

Höglund, AndreasCastleton, ChristopherMirbt, Susanne

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Höglund, AndreasCastleton, ChristopherMirbt, Susanne
Av organisationen
Fysiska institutionenFysik IVStrukturkemi
Den kondenserade materiens fysikOorganisk kemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 599 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf