uu.seUppsala universitets publikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
The influence of capping layers on pore formation in Ge during ion implantation
Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, Canberra, Australia.ORCID-id: 0000-0002-1393-1723
2016 (Engelska)Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 120, nr 21, artikel-id 215706Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Ion induced porosity in Ge has been investigated with and without a cap layer for two ion species, Ge and Sn, with respect to ion fluence and temperature. Results without a cap are consistent with a previous work in terms of an observed ion fluence and temperature dependence of porosity, but with a clear ion species effect where heavier Sn ions induce porosity at lower temperature (and fluence) than Ge. The effect of a cap layer is to suppress porosity for both Sn and Ge at lower temperatures but in different temperatures and fluence regimes. At room temperature, a cap does not suppress porosity and results in a more organised pore structure under conditions where sputtering of the underlying Ge does not occur. Finally, we observed an interesting effect in which a barrier layer of a-Ge that is denuded of pores formed directly below the cap layer. The thickness of this layer (∼ 8 nm) is largely independent of ion species, fluence, temperature, and cap material, and we suggest that this is due to viscous flow of a-Ge under ion irradiation and wetting of the cap layer to minimize the interfacial free energy.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2016. Vol. 120, nr 21, artikel-id 215706
Nyckelord [en]
porosity, ion implantation, free energy, surface energy, ion beam effects, elemental semiconductors, wetting, germanium
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Forskningsämne
Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-351521DOI: 10.1063/1.4969051OAI: oai:DiVA.org:uu-351521DiVA, id: diva2:1210340
Tillgänglig från: 2018-05-28 Skapad: 2018-05-28 Senast uppdaterad: 2018-05-30Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(6514 kB)85 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 6514 kBChecksumma SHA-512
b79fa96e82762900900967a964cdbc07ac234ca0e3eac2b19f5bb608e5b825e39688dd350dae158118c9a30a887271dccee0496cdf6b3769e7cb16a5d5fd9049
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Tran, Tuan
I samma tidskrift
Journal of Applied Physics
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 85 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 83 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf