uu.seUppsala universitets publikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Microstructural Characterization of Sulfurization Effects in Cu(In,Ga)Se-2 Thin Film Solar Cells
Chalmers Univ Technol, Dept Phys, S-41296 Gothenburg, Sweden.ORCID-id: 0000-0003-2651-482X
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.ORCID-id: 0000-0002-3461-6036
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.ORCID-id: 0000-0002-7392-4701
Chalmers Univ Technol, Dept Phys, S-41296 Gothenburg, Sweden.ORCID-id: 0000-0002-6097-6895
Visa övriga samt affilieringar
2019 (Engelska)Ingår i: Microscopy and Microanalysis, ISSN 1431-9276, E-ISSN 1435-8115, Vol. 25, nr 2, s. 532-538Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Surface sulfurization of Cu(In,Ga)Se-2 (CIGSe) absorbers is a commonly applied technique to improve the conversion efficiency of the corresponding solar cells, via increasing the bandgap towards the heterojunction. However, the resulting device performance is understood to be highly dependent on the thermodynamic stability of the chalcogenide structure at the upper region of the absorber. The present investigation provides a high-resolution chemical analysis, using energy dispersive X-ray spectrometry and laser-pulsed atom probe tomography, to determine the sulfur incorporation and chemical re-distribution in the absorber material. The post-sulfurization treatment was performed by exposing the CIGSe surface to elemental sulfur vapor for 20 min at 500 degrees C. Two distinct sulfur-rich phases were found at the surface of the absorber exhibiting a layered structure showing In-rich and Ga-rich zones, respectively. Furthermore, sulfur atoms were found to segregate at the absorber grain boundaries showing concentrations up to similar to 7 at% with traces of diffusion outwards into the grain interior.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
CAMBRIDGE UNIV PRESS , 2019. Vol. 25, nr 2, s. 532-538
Nyckelord [en]
atom probe, Cu(In, Ga)Se-2, solar cells, surface treatment, thin films
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-385571DOI: 10.1017/S1431927619000151ISI: 000466756600030PubMedID: 30853031OAI: oai:DiVA.org:uu-385571DiVA, id: diva2:1326025
Konferens
Atom Probe Tomography and Microscopy (APT and M) Conference, JUN 10-15, 2018, Gaithersburg, MD
Forskningsfinansiär
Stiftelsen för strategisk forskning (SSF), RMA15-0030Tillgänglig från: 2019-06-17 Skapad: 2019-06-17 Senast uppdaterad: 2019-06-17Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextPubMed

Personposter BETA

Keller, JanLarsen, Jes KRiekehr, LarsEdoff, MarikaPlatzer Björkman, Charlotte

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Aboulfadl, HishamKeller, JanLarsen, Jes KThuvander, MattiasRiekehr, LarsEdoff, MarikaPlatzer Björkman, Charlotte
Av organisationen
Fasta tillståndets elektronik
I samma tidskrift
Microscopy and Microanalysis
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
pubmed
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
pubmed
urn-nbn
Totalt: 181 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf