uu.seUppsala universitets publikasjoner
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Impact of Al-, Ni-, TiN-, and Mo-metal gates on MOCVD-grown HfO2 and ZrO2 high-k dielectrics
Institute of Solid State Electronics, Vienna University of Technology.
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
Vise andre og tillknytning
2007 (engelsk)Inngår i: Microelectronics and reliability, ISSN 0026-2714, E-ISSN 1872-941X, Vol. 47, nr 4-5, s. 536-539Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
Abstract [en]

In this work we compare the impacts of nickel (Ni), titanium-nitride (TiN), molybdenum (Mo), and aluminium (Al), gates on MOS capacitors incorporating HfO2- or ZrO2-dielectrics. The primary focus lies on interface trapping, oxide charging, and thermodynamical stability during different annealing steps of these gate stacks. Whereas Ni, Mo, and especially TiN are investigated as most promising candidates for future CMOS devices, Al acted as reference gate material to benchmark the parameters. Post-metallization annealing of both, TiN- and Mo-stacks, resulted in very promising electrical characteristics. However, gate stacks annealed at temperatures of 800 °C or 950 °C show thermodynamic instability and related undesirable high leakage currents.

sted, utgiver, år, opplag, sider
2007. Vol. 47, nr 4-5, s. 536-539
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-11288DOI: 10.1016/j.microrel.2007.01.002ISI: 000248663300014OAI: oai:DiVA.org:uu-11288DiVA, id: diva2:39056
Tilgjengelig fra: 2007-08-24 Laget: 2007-08-24 Sist oppdatert: 2017-12-11bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Andre lenker

Forlagets fulltekst

Personposter BETA

Sjöblom, GustafOlsson, Jörgen

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Sjöblom, GustafOlsson, Jörgen
Av organisasjonen
I samme tidsskrift
Microelectronics and reliability

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetric

doi
urn-nbn
Totalt: 1445 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf