uu.seUppsala universitets publikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Impact of Al-, Ni-, TiN-, and Mo-metal gates on MOCVD-grown HfO2 and ZrO2 high-k dielectrics
Institute of Solid State Electronics, Vienna University of Technology.
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
Visa övriga samt affilieringar
2007 (Engelska)Ingår i: Microelectronics and reliability, ISSN 0026-2714, E-ISSN 1872-941X, Vol. 47, nr 4-5, s. 536-539Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

In this work we compare the impacts of nickel (Ni), titanium-nitride (TiN), molybdenum (Mo), and aluminium (Al), gates on MOS capacitors incorporating HfO2- or ZrO2-dielectrics. The primary focus lies on interface trapping, oxide charging, and thermodynamical stability during different annealing steps of these gate stacks. Whereas Ni, Mo, and especially TiN are investigated as most promising candidates for future CMOS devices, Al acted as reference gate material to benchmark the parameters. Post-metallization annealing of both, TiN- and Mo-stacks, resulted in very promising electrical characteristics. However, gate stacks annealed at temperatures of 800 °C or 950 °C show thermodynamic instability and related undesirable high leakage currents.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2007. Vol. 47, nr 4-5, s. 536-539
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-11288DOI: 10.1016/j.microrel.2007.01.002ISI: 000248663300014OAI: oai:DiVA.org:uu-11288DiVA, id: diva2:39056
Tillgänglig från: 2007-08-24 Skapad: 2007-08-24 Senast uppdaterad: 2017-12-11Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Sjöblom, GustafOlsson, Jörgen

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Sjöblom, GustafOlsson, Jörgen
Av organisationen
Fasta tillståndets elektronik
I samma tidskrift
Microelectronics and reliability
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 1447 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf