uu.seUppsala universitets publikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Processing and evaluation of metal gate/high-k/Si capacitors incorporating Al, Ni, TiN, and Mo as metal gate, and ZrO2 and HfO2 as high-k dielectric
Institute for Solid State Electronics, Vienna University of Technology.
Advanced Microelectronic Center, Aachen.
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
Advanced Microelectronic Center, Aachen.
Visa övriga samt affilieringar
2007 (Engelska)Ingår i: Microelectronic Engineering, ISSN 0167-9317, E-ISSN 1873-5568, Vol. 84, nr 5-8, s. 1635-1638Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We evaluate various metal gate/high-k/Si capacitors by their resulting electrical characteristics. Therefore, we process MOS gate stacks incorporating aluminium (Al), nickel (Ni), titanium-nitride (TiN), and molybdenum (Mo) as the gate material, and metal organic chemical vapour deposited (MOCVD) ZrO2 and HfO2 as the gate dielectric, respectively. The influence of the processing sequence - especially of the thermal annealing treatment - on the electrical characteristics of the various gate stacks is being investigated. Whereas post metallization annealing in forming gas atmosphere improves capacitance-voltage behaviour (due to reduced interface-, and oxide charge density), current-voltage characteristics degrade due to a higher leakage current after thermal treatment at higher temperatures. The Flatband-voltage values for the TiN-, Mo-, and Ni-capacitors indicate mid-gap pinning of the metal gates, however, Ni seems to be thermally unstable on ZrO2, at least within the process scheme we applied.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2007. Vol. 84, nr 5-8, s. 1635-1638
Nyckelord [en]
metal gate, high-kappa, ZrO2, HfO2, MOCVD, processing
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-11289DOI: 10.1016/j.mee.2007.01.176ISI: 000247182500223OAI: oai:DiVA.org:uu-11289DiVA, id: diva2:39057
Tillgänglig från: 2007-08-24 Skapad: 2007-08-24 Senast uppdaterad: 2017-12-11

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Sjöblom, GustafOlsson, Jörgen

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Sjöblom, GustafOlsson, Jörgen
Av organisationen
Fasta tillståndets elektronikFasta tillståndets elektronik
I samma tidskrift
Microelectronic Engineering
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 1644 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf