uu.seUppsala universitets publikasjoner
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Processing and evaluation of metal gate/high-k/Si capacitors incorporating Al, Ni, TiN, and Mo as metal gate, and ZrO2 and HfO2 as high-k dielectric
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
Vise andre og tillknytning
2006 (engelsk)Inngår i: Presented at Int. Conf. on Micro- and Nano-Engineering, 2006Konferansepaper, Oral presentation with published abstract (Annet vitenskapelig)
sted, utgiver, år, opplag, sider
2006.
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-211204OAI: oai:DiVA.org:uu-211204DiVA, id: diva2:665878
Konferanse
Int. Conf. on Micro- and Nano-Engineering, Barcelona, Spain
Tilgjengelig fra: 2013-11-21 Laget: 2013-11-21 Sist oppdatert: 2018-06-04

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Personposter BETA

Sjöblom, GustafOlsson, Jörgen

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Sjöblom, GustafOlsson, Jörgen
Av organisasjonen

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 1359 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf