uu.seUppsala universitets publikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Processing and evaluation of metal gate/high-k/Si capacitors incorporating Al, Ni, TiN, and Mo as metal gate, and ZrO2 and HfO2 as high-k dielectric
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
Visa övriga samt affilieringar
2006 (Engelska)Ingår i: Presented at Int. Conf. on Micro- and Nano-Engineering, 2006Konferensbidrag, Muntlig presentation med publicerat abstract (Övrigt vetenskapligt)
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2006.
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-211204OAI: oai:DiVA.org:uu-211204DiVA, id: diva2:665878
Konferens
Int. Conf. on Micro- and Nano-Engineering, Barcelona, Spain
Tillgänglig från: 2013-11-21 Skapad: 2013-11-21 Senast uppdaterad: 2018-06-04

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Sjöblom, GustafOlsson, Jörgen

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Sjöblom, GustafOlsson, Jörgen
Av organisationen
Fasta tillståndets elektronik
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 1296 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf