uu.seUppsala universitets publikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Fast DNA sequencing via transverse differential conductance
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi, Materialteori.
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi, Materialteori.
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi, Materialteori.
Visa övriga samt affilieringar
2010 (Engelska)Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Resurstyp
Text
Abstract [en]

We propose using characteristic transverse differential conductance for solid-state nanopore-based DNA sequencing and have explored this idea by performing molecular dynamics simulations on the translocation progress of single-stranded DNA molecule through the nanopore, and calculating the associated transverse differential conductance. Our results show that measurement of the transverse differential conductance is suitable to successfully discriminate between the four nucleotide types, and we show that this identification could even withstand electrical noise caused by fluctuations due to changes in the DNA orientation. Our findings demonstrate several compelling advantages of the differential conductance approach, which may lead to important applications in rapid genome sequencing.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2010. s. 313-316
Nyckelord [en]
Differential conductances; DNA Sequencing; Electrical noise; Genome sequencing; Molecular dynamics simulations; Single-stranded DNA molecules; Solid-state nanopore
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-283324DOI: 10.1109/SISPAD.2010.5604495Scopus ID: 2-s2.0-78649568967OAI: oai:DiVA.org:uu-283324DiVA, id: diva2:918953
Konferens
15th International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2010; Bologna; Italy
Projekt
KoF U3MECTillgänglig från: 2016-04-12 Skapad: 2016-04-12 Senast uppdaterad: 2016-04-12

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Scheicher, RalphGrigoriev, AntonAhuja, Rajeev

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Scheicher, RalphGrigoriev, AntonAhuja, Rajeev
Av organisationen
Materialteori
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 201 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf