uu.seUppsala universitets publikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Toward synthesis of oxide films on graphene with sputtering based processes
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
Visa övriga samt affilieringar
2016 (Engelska)Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology B, ISSN 1071-1023, E-ISSN 1520-8567, Vol. 34, nr 4, artikel-id 040605Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The impact of energetic particles associated with a sputter deposition process may introduce damage to single layer graphene films, making it challenging to apply this method when processing graphene. The challenge is even greater when oxygen is incorporated into the sputtering process as graphene can be readily oxidized. This work demonstrates a method of synthesizing ZnSn oxide on graphene without introducing an appreciable amount of defects into the underlying graphene. Moreover, the method is general and applicable to other oxides. The formation of ZnSn oxide is realized by sputter deposition of ZnSn followed by a postoxidation step. In order to prevent the underlying graphene from damage during the initial sputter deposition process, the substrate temperature is kept close to room temperature, and the processing pressure is kept high enough to effectively suppress energetic bombardment. Further, in the subsequent postannealing step, it is important not to exceed temperatures resulting in oxidation of the graphene. The authors conclude that postoxidation of ZnSn is satisfactorily performed at 300 degrees C in pure oxygen at reduced pressure. This process results in an oxidized ZnSn film while retaining the initial quality of the graphene film.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2016. Vol. 34, nr 4, artikel-id 040605
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:uu:diva-303391DOI: 10.1116/1.4949565ISI: 000382207700005OAI: oai:DiVA.org:uu-303391DiVA, id: diva2:971780
Forskningsfinansiär
Knut och Alice Wallenbergs Stiftelse, 2011.0082Vetenskapsrådet, 2014-5591Tillgänglig från: 2016-09-19 Skapad: 2016-09-19 Senast uppdaterad: 2017-11-21Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Ahlberg, PatrikNyberg, TomasZhang, Shi-LiZhang, Zhi-BinJansson, Ulf
Av organisationen
Fasta tillståndets elektronikOorganisk kemi
I samma tidskrift
Journal of Vacuum Science & Technology B
Teknik och teknologierFysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 1176 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf