uu.seUppsala universitets publikasjoner
Endre søk
Begrens søket
1 - 40 of 40
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Treff pr side
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
Merk
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Anderås, Emil
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Drift in thin film SOI piezoresistors2010Inngår i: Proc. of EUROSOI Workshop, 2010 Jan 25-27, Grenoble, France, 2010, s. 71-72Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 2.
    Banerjee, Debashree
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik. CSIR, CEERI, Pilani 333031, Rajasthan, India..
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Samani, Kabir Majid
    Chalmers Univ Technol, Dept Microtechnol & Nanosci, Elect Mat Syst Lab, S-41296 Gothenburg, Sweden..
    Majee, Subimal
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik. CSIR, CEERI, Pilani 333031, Rajasthan, India..
    Zhang, Shi-Li
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Liu, Johan
    Chalmers Univ Technol, Dept Microtechnol & Nanosci, Elect Mat Syst Lab, S-41296 Gothenburg, Sweden.;Shanghai Univ, SMIT Ctr, 20 Chengzhong Rd,Box 808, Shanghai 201800, Peoples R China..
    Zhang, Zhi-Bin
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Elevated thermoelectric figure of merit of n-type amorphous silicon by efficient electrical doping process2018Inngår i: Nano Energy, ISSN 2211-2855, E-ISSN 2211-3282, Vol. 44, s. 89-94Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    The currently dominant thermoelectric (TE) materials used in low to medium temperature range contain Tellurium that is rare and mild-toxic. Silicon is earth abundant and environment friendly, but it is characterized by a poor TE efficiency with a low figure of merit, ZT. In this work, we report that ZT of amorphous silicon (a-Si) thin films can be enhanced by 7 orders of magnitude, reaching similar to 0.64 +/- 0.13 at room temperature, by means of arsenic ion implantation followed by low-temperature dopant activation. The dopant introduction employed represents a highly controllable doping technique used in standard silicon technology. It is found that the significant enhancement of ZT achieved is primarily due to a significant improvement of electrical conductivity by doping without crystallization so as to maintain the thermal conductivity and Seebeck coefficient at the level determined by the amorphous state of the silicon films. Our results open up a new route towards enabling a-Si as a prominent TE material for cost-efficient and environment-friendly TE applications at room temperature.

  • 3.
    Kovi, Kiran Kumar
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektricitetslära.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Majdi, Saman
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektricitetslära.
    Isberg, Jan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektricitetslära.
    Inversion in Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors on Boron-Doped Diamond2015Inngår i: IEEE Electron Device Letters, ISSN 0741-3106, E-ISSN 1558-0563, Vol. 36, nr 6, s. 603-605Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    For the advancement of diamond-based electronic devices, the fabrication of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) is crucial, as this device finds applications in numerous fields of power electronics and high-frequency systems. The MOS capacitor forms the basic building block of the MOSFET. In this letter, we describe planar MOS capacitor structures fabricated with atomic layer deposited aluminum oxide as the dielectric on oxygen-terminated boron-doped diamond substrates with different doping levels. Using capacitance-voltage measurements, we have, for the first time, observed inversion behavior in MOS structures on boron-doped diamond, with a doping concentration of 4.1 × 1019/cm3.

  • 4.
    Köhler, Johan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. ÅSTC. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Strandman, Carola
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Hedlund, Christer
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Bäcklund, Ylva
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Silicon fusion bond interfaces resilient to wet anisotropic etchants2001Inngår i: Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol. 11, s. 359-363Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 5.
    Köhler, Johan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Strandman, Carola
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Hedlund, Christer
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Bäcklund, Ylva
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Etching through Si-Si direct bonded interfaces1997Inngår i: MME´97, 1997Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 6.
    Li, Ling-Guang
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lotfi, Sara
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Thermal characterization of polycrystalline SiC2014Inngår i: Journal of Electronic Materials, ISSN 0361-5235, E-ISSN 1543-186X, Vol. 43, nr 4, s. 1150-1153Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    A study is made using fabricated thermal resistors in combination with two-dimensional (2D) electrothermal simulations to determine the thermal conductivity of polycrystalline SiC, single-crystalline SiC, and Si. The results show that the poly-SiC substrate has thermal conductivity of κ poly-SiC = 2.7 W K−1 cm−1, which is significantly lower than that of single-crystalline SiC.

  • 7.
    Li, Ling-Guang
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Rubino, Stefano
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Tillämpad materialvetenskap.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Dynamics of SiO2 Buried Layer Removal from Si-SiO2-Si and Si-SiO2-SiC Bonded Substrates by Annealing in Ar2014Inngår i: Journal of Electronic Materials, ISSN 0361-5235, E-ISSN 1543-186X, Vol. 43, nr 2, s. 541-547Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Silicon-on-silicon-carbide substrates could be ideal for high-power and radiofrequency silicon devices. Such hybrid wafers, when made by wafer bonding, contain an intermediate silicon dioxide layer with poor thermal characteristics, which can be removed by high-temperature annealing in an inert atmosphere. To understand the dynamics of this process, removal of 2.4-nm-thick SiO2 layers from Si-SiO2-Si and Si-SiO2-SiC substrates has been studied at temperatures ranging from 1100A degrees C to 1200A degrees C. The substrates were analyzed by transmission electron microscopy, electron energy-loss spectroscopy, secondary-ion mass spectroscopy, and ellipsometry, before and after annealing. For oxide thickness less than 2.4 nm, the activation energy for oxide removal was estimated to be 6.4 eV, being larger than the activation energy reported for removal of thicker oxides (4.1 eV). Under the same conditions, the SiO2 layer became discontinuous. In the time domain, three steps could be distinguished: bulk diffusion, bulk diffusion with void formation, and bulk diffusion with disintegration. The void formation, predominant here, has an energetic cost that could explain the larger activation energy. The oxide remaining after prolonged annealing corresponds to one layer of oxygen atoms.

  • 8.
    Li, Ling-Guang
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Oxide-Free Silicon to Silicon Carbide Heterobond2008Inngår i: ESC Transactions, ISSN 1938-6737, Vol. 16, nr 8, s. 377-383Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Thin crystalline device layersof Si were bonded to Si-faced SiC wafers, with eithera chemical or a thermal oxide interface layer. The interfacethermal oxide was successfully removed by oxygen out-diffusion for 2.5h in an Ar atmosphere at 1250 oC. XTEM micrographsshowed that an abrupt transition between Si and SiC withcomplete removal of the interlayer oxide had been obtained. Stressgenerated during the cool-down process after oxygen out-diffusion was shownto be compressive. IR imaging and an optical microscopy verifiedthat no cracks occurred during cool-down.

  • 9.
    Li, Ling-Guang
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Oxide-Free Silicon to Silicon Carbide Heterobond2008Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 10.
    Li, Ling-Guang
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Mikrostrukturlaboratoriet, MSL.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Oxygen out-diffusion from buried layers in SOI and SiC-SOI substrates2010Inngår i: Solid-State Electronics, ISSN 0038-1101, E-ISSN 1879-2405, Vol. 54, nr 2, s. 153-157Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    We have made a comparative study of the oxygen out-diffusion process during heat treatment of SOI wafers and SiC-SOI hybrid substrates. SOI materials with three different thicknesses (2, 20 and 410 nm) of buried oxide (BOX) were used in the investigation High-resolution cross-sectional transmission electron microscopy (HRXTEM) together with laser interferometry was used to determine the remaining thickness of the BOX-layer after heat treatment. After complete removal of the BOX-layer of SOI wafers, the St/Si interface appears to be sharp and defect-free. Similar results were obtained for SiC-SOI hybrid substrates after removal of the entire buried oxide layer. For all combinations investigated oxide removal was accompanied by a thickness reduction and roughening of the silicon surface layer as verified by atomic force microscopy (AFM).

    Download (pdf)
    sammanfattning
  • 11.
    Li, Lingguang
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Study of Oxygen Out-diffusion from buried oxide layers in Si/SiC hybrid- and SOI-substrates2009Inngår i: EUROSOI 2009 CONFERENCE PROCEEDINGS: Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-on-Insulator, Technology, Devices and Circuits / [ed] Olof Engström, 2009, s. 85-86Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    We have studied the SiO2 out-diffusion (Ox-away) process from Si/SiC hybrid substrates (Si-SiO2-SiC), thin BOX SOI and commercial SOI. For the former two kinds of substrates, HRXTEM micrographs show that after complete oxygen out-diffusion, the Si/SiC or Si/Si interfaces are sharp, and apparently defect-free. The BOX of commercial SOI has partially been diffused away. For all three substrate types, the thickness of top thin Si layers has become thinner and the Si was discovered under HRXTEM above the top Si. XPS results indicate that it only contains Si.

  • 12.
    Lotfi, Sara
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Li, Ling-Guang
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Fabrication and Characterization of 150 mm Silicon-on-polycrystalline-Silicon Carbide Substrates2012Inngår i: Journal of Electronic Materials, ISSN 0361-5235, E-ISSN 1543-186X, Vol. 41, nr 3, s. 480-487Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Silicon-on-insulator (SOI) substrates can reduce RF-substrate losses due to their buried oxide (BOX). On the other hand, the BOX causes problems since it acts as a thermal barrier. Oxide has low thermal conductivity and traps the heat that is generated in devices on the SOI. This paper presents a hybrid substrate which uses a thin layer of poly-crystalline silicon and poly-crystalline silicon carbide (Si-on-poly-SiC) to replace the thermally unfavorable buried oxide and the silicon substrate. 150 mm substrates were fabricated by wafer bonding and shown to be stress and strain free. Various electronic devices and test structures were processed on the hybrid substrate as well as on a low resistivity SOI reference wafer. The substrates were characterized electrically and thermally and compared to each other. Results showed that the Si-on-poly-SiC wafer had a 2.5 times lower thermal resistance and was equally or better in electrical performance compared to the SOI reference wafer.

  • 13.
    Lotfi, Sara
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Li, Ling-Guang
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Mobility Profiles and Thermal Characterization of SOI and Si-on-SiC hybrid substrates2011Inngår i: 2011 IEEE International SOI Conference Proceedings, 2011Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    This paper presents new results revealing the electrical properties of the silicon-on-polycrystalline silicon carbide hybrid substrate. The thermal resistance in the substrate was measured and compared to simulations and is linked to the measured reduced self-heating in LDMOS transistors. The mobility in the device layer was extracted and shows slightly lower values in the hybrid compared to the SOI. Furthermore, the gate oxide integrity was evaluated suggesting that the poly-Si layer in the Si/SiC hybrid may act as a gettering layer for impurities due to the lower QBD spread.

  • 14.
    Lotfi, Sara
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Li, Ling-Guang
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    LDMOS-transistors on semi-insulating silicon-on-polycrystalline-silicon carbide substrates for improved RF and thermal properties2012Inngår i: Solid-State Electronics, ISSN 0038-1101, E-ISSN 1879-2405, Vol. 70, s. 14-19Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    SOI enables reduced capacitive coupling in RF power technology but the thick oxide causes thermal problems. In this paper, the authors present a new type of substrate, where the oxide insulator and the silicon substrate in SOI, are replaced by silicon carbide (SiC). SiC has higher thermal conductivity and is semi-insulating which can improve the thermal and RF performance. Here, LDMOS-transistors are processed and characterized on 150 mm silicon-on-polycrystalline-silicon carbide (Si-on-poly-SiC) substrates as well as on high power and RF optimized SOI reference substrates. The electrical performance for the Si-on-poly-SiC was improved or equal compared to the SOI reference and the device self-heating was reduced. The hybrid substrate had lower RF losses and the RF measurements on transistors were not ideal due to no isolation between the devices.

  • 15.
    Lotfi, Sara
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Li, Ling-Guang
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Electrical and Thermal Characterization of 150 mm Silicon–on–polycrystalline-Silicon Carbide Hybrid Substrates2010Inngår i: 2010 IEEE International SOI Conference Proceedings, Oct 11-14, San Diego CA, 2010, s. 115-116Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    150 mm Silicon–on–polycrystalline-Silicon Carbide (poly-SiC) hybrid substrates, without intermediate oxide layers have been realized by hydrophilic wafer bonding of SOI- and poly-SiC wafers. A novel rapid thermal treatment step has been introduced before furnace annealing to avoid bubble formation, cracks and breakage. The final substrates are shown to be stress free. Electrical and thermal characterization of devices manufactured on the substrate using a MOS process show excellent performance.

  • 16.
    Lotfi, Sara
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Li, Ling-Guang
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    LDMOS transistors on 150 mm silicon-on-polycrystalline-silicon carbide hybrid substrates2011Inngår i: Proc. of EUROSOI 2011 workshop: VII workshop of the thematic network on silicon on insulator technology, devices and circuits, Jan 17-19, Granada, Spain, 2011, s. 153-154Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Silicon based RF and power devices need a substrate that conducts heat better than conventional SOI-substrates. Here, the silicon dioxide insulator and the silicon substrate as in a SOI-wafer, are replaced by silicon carbide (SiC) which has higher thermal conductivity and is semi-insulating. Successful LDMOS-transistors were processed on the 150 mm Silicon-on-polycrystalline-Silicon carbide (Si-on-poly-SiC) substrates with improved or equal electrical performance compared to a RF-optimized SOI substrate.

  • 17.
    Mardani, Shabnam
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Liljeholm, Lina
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Primetzhofer, Daniel
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Thermal stability of Ag/Ta and Ag/TaN thin-films2013Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Fulltekst (pdf)
    MAM abstract Ag/Ta, TaN
  • 18.
    Mardani, Shabnam
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Zhang, Shili
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    High-temperature behaviour of capped Ag/Ta and Ag/TaN metal stacks2014Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Fulltekst (pdf)
    MAM2014_capped Ag/Ta and Ag/TaN
  • 19.
    Mardani, Shabnam
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Primetzhofer, Daniel
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi, Tillämpad kärnfysik.
    Liljeholm, Lina
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Electrical properties of Ag/Ta and Ag/TaN thin-films2014Inngår i: Microelectronic Engineering, ISSN 0167-9317, E-ISSN 1873-5568, Vol. 120, s. 257-261Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Although wide band gap devices (WBG, e.g. GaN and SiC) are eminently suitable for high temperatures and harsh environments, these properties cannot be fully taken advantage of without an appropriate interconnect metallization. In this context, silver shows promise for interconnections at high temperatures. In this work, the thermal stability of Ag with two barrier metals – Ta and TaN – was therefore investigated. Metal stacks, consisting of 100 nm of silver on 45 nm of either Ta or TaN were sputter-deposited on the substrate. Each metal system was annealed in vacuum for one hour at temperatures up to 800 °C. Both systems showed stable performance up to 600 °C. The system with Ta as a barrier metal was found to be more stable than the TaN system. Above 700 °C, silver agglomeration led to degradation of electrical performance.

    Fulltekst (pdf)
    Electrical properties of Ag/Ta and Ag/TaN thin-films
  • 20.
    Mardani, Shabnam
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Wätjen, Jörn Timo
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Zhang, Shili
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Morphological instability of Ag films caused by phase transition in the underlying Ta barrier layer2014Inngår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 105, s. 071604-Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Wide-bandgap (WBG) semiconductor technologies are maturing and may provide increased deviceperformance in many fields of applications, such as high-temperature electronics. However, thereare still issues regarding the stability and reliability of WBG devices. Of particular importance isthe high-temperature stability of interconnects for electronic systems based on WBG-semiconductors. For metallization without proper encapsulation, morphological degradation canoccur at elevated temperatures. Sandwiching Ag films between Ta and/or TaN layers in this studyis found to be electrically and morphologically stabilize the Ag metallization up to 800C, com-pared to 600C for uncapped films. However, the barrier layer plays a key role and TaN is found tobe superior to Ta, resulting in the best achieved stability, whereas the difference between Ta andTaN caps is negligible. The b-to-a phase transition in the underlying Ta barrier layer is identifiedas the major cause responsible for the morphological instability observed above 600C. It isshown that this phase transition can be avoided using a stacked Ta/TaN barrier.

  • 21.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Buried aluminum nitride insulator for improving thermal conduction in SOI2008Inngår i: Proceedings of IEEE SOI Conference, 2008, s. 105-106Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    A new Si-on-AlN substrate has been fabricated and characterised both electrically and thermally. Thermal properties of the new substrate have been identified with a thermal resistance reduced by half to 47.5 K/W compared to reference SOI. Further improvements in fabrication of these new SOI substrates with regard to the alpha-Si layer, oxide layer and in AlN film quality itself would utillise the thermal conductivity of AlN even more.

  • 22.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Buried Aluminum Nitride Insulator for SOI Substrates2007Inngår i: Proc. of EUROSOI Workshop, 2007, s. 67-68Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 23.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Improved Thermal Characteristics in SOI using a Buried Aluminium Nitride Insulator2008Inngår i: EUROSOI Workshop, 2008, s. 97-98Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 24.
    Olsson, Jörgen
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Silicon-on-SiC hybrid substrate with improved high-frequency and thermal performance2008Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 25.
    Olsson, Jörgen
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Silicon-on-SiC hybrid substrate with low RF-losses and improved thermal performance2008Inngår i: Proceedings of GHz Symposium, 2008, s. 79-Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 26.
    Olsson, Jörgen
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Sjöblom, Gustaf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Berg, Sören
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Novel Silicon-on-SiC Substrate with Superior Thermal and RF Performance2007Inngår i: Proceedings IEEE SOI conference, 2007, s. 115-116Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 27.
    Rangsten, Pelle
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Hermansson, Karin
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Bäcklund, Ylva
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Quartz-Quartz Bonding1997Inngår i: ECS Annual meeting, 1997Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 28.
    Rangsten, Pelle
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Hermansson, Karin
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Bäcklund, Ylva
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Quartz-to-quartz direct bonding1999Inngår i: Journal of the Electrochemical Society, ISSN 0013-4651, E-ISSN 1945-7111, Vol. 146, nr 3, s. 1104-1105Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Direct bonding of single crystalline quartz wafers is presented. By this straightforward technique, hermetical seals between quartz wafers can be formed. Nearly Z-cut (the Z-cut rotated 1 degrees 50') and AT-cut wafers bonded spontaneously at room tempera

  • 29.
    Serrano, Ismael G.
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi, Molekyl- och kondenserade materiens fysik.
    Panda, Jaganandha
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi, Molekyl- och kondenserade materiens fysik.
    Denoel, Fernand
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets fysik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Phuyal, Dibya
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi, Molekyl- och kondenserade materiens fysik.
    Karis, Olof
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi, Molekyl- och kondenserade materiens fysik.
    Kamalakar, M. Venkata
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi, Molekyl- och kondenserade materiens fysik.
    Two-Dimensional Flexible High Diffusive Spin Circuits2019Inngår i: Nano letters (Print), ISSN 1530-6984, E-ISSN 1530-6992, Vol. 19, nr 2, s. 666-673Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Owing to their unprecedented electronic properties, graphene and two-dimensional (2D) crystals have brought fresh opportunities for advances in planar spintronic devices. Graphene is an ideal medium for spin transport while being an exceptionally resilient material for flexible nanoelectronics. However, these extraordinary traits have never been combined to create flexible graphene spin circuits. Realizing such circuits could lead to bendable strain-spin sensors, as well as a unique platform to explore pure spin current based operations and low-power 2D flexible nanoelectronics. Here, we demonstrate graphene spin circuits on flexible substrates for the first time. Despite the rough topography of the flexible substrates, these circuits prepared with chemical vapor deposited monolayer graphene reveal an efficient room temperature spin transport with distinctively large spin diffusion coefficients ∼0.2 m2 s–1. Compared to earlier graphene devices on Si/SiO2 substrates, such values are up to 20 times larger, leading to one order higher spin signals and an enhanced spin diffusion length ∼10 μm in graphene-based nonlocal spin valves fabricated using industry standard systems. This high performance arising out of a characteristic substrate terrain shows promise of a scalable and flexible platform towards flexible 2D spintronics. Our innovation is a key step for the exploration of strain-dependent 2D spin phenomena and paves the way for flexible graphene spin memory–logic units and planar spin sensors.

  • 30. Takagi, H
    et al.
    Maeda, R
    Ito, T
    Suga, T
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Low-temperature wafer direct bonding by surface modification in vacuum2002Inngår i: The 16th Symposium of the Japanese Institute of Electronics, Tokyo, Japan, March 18-20, 2002Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 31.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Fasta tillståndets elektronik.
    From Silicon to Quartz: Microstructure Technology Transfer for Increased Frequency Stability2004Licentiatavhandling, monografi (Annet vitenskapelig)
  • 32.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Bäcklund, Ylva
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    High-temperature piezoresistive gauge fabricated on commercially available silicon-on-insulator wafers2000Inngår i: J Micromech Microeng, Vol. 10, s. 196-199Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 33.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Einefors, Bo
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Hedlund, Christer
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Thornell, Greger
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Materialvetenskap.
    Direct bonded quartz resonators2001Inngår i: Proc. of the IEEE International Frequency Control Symposium, Seattle, USA, June 6-8, 2001Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 34.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Jonsson, Kerstin
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Lindberg, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Adhension quantification methods for wafer bonding2005Inngår i: Materials Science and Engineering, Vol. R50, s. 109-165Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 35.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Li, Lingguang
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    150 mm Silicon-on-polycrystalline-Silicon Carbide2010Inngår i: Proceedings of EUROSOI: Sixth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator / [ed] Sorin Cristoloveanu, Olivier Faynot, 2010, s. 101-102Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    150 mm Silicon-on-polycrystallin-Silicon Carbie (poly-SiC) bybrid substrate, without intermediate oxide layers have been realised by hydrophilic wafer bonding of SOI- and poly-SiC wafers. A novel rapid thermal treatment step was introduced before furnace annealing to avoid bubble formation, cracks and breakage. After removal of the Si handle and the buried oxide, the reamining Si device layer was shown to be stress free by Raman spectroscopy and X-ray diffraction (XRD) measurements.

  • 36.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Li, Ling-Guang
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    LDMOS transistors on Si-on-SiC hybrid substrates having crystalline or poly-crystalline SiC - Electrical and thermal characterization2009Inngår i: Proceedings of IEEE SOI conference, 2009Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 37.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lindberg, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Danielsson, Rolf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Kemiska sektionen, Institutionen för fysikalisk och analytisk kemi, Analytisk kemi.
    Thornell, Greger
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Mikrosystemteknik.
    Polishing of quartz by rapid etching in ammonium bifluoride2007Inngår i: IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, ISSN 0885-3010, E-ISSN 1525-8955, Vol. 54, nr 7, s. 1454-1462Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    The etch rate and surface roughness of polished and lapped AT-cut quartz subjected to hot (90, 110, and 130 degrees C), concentrated (50, 65, 80 wt %) ammonium bi-fluoride have been investigated. Having used principal component analysis to verify experimental solidity and analyze data, we claim with confidence that this parameter space does not, as elsewhere stated, allow for a polishing effect or even a preserving setting. Etch rates were found to correlate well, and possibly logarithmically, with temperature except for the hottest etching applied to lapped material. Roughness as a function of temperature and concentration behaved well for the lapped material, but lacked systematic variation in the case of the polished material. At the lowest temperature, concentration had no effect on etch rate or roughness. Future efforts are targeted at temperatures and concentrations closer to the solubility limit.

  • 38.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Li, L. G.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Thermal characterization of Silicon-on-SiC substrates2008Inngår i: Proceedings of IEEE International SOI Conference, 2008, s. 69-70Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Thermal characterization of the new Si-on-SiC hybrid substrate has shown thermal properties superior in comparison with SOI. The thermal resistivity was shown to be a factor of four lower, and the lateral thermal spread was much more efficient, as is explained by the excellent heat conductivity of the SiC substrate. These results correspond well to the absence of MOSFET self-heating effects for the BaSiC. Transmission electron microscopy reveals a defect free bond and recrystallization of the amorphous silicon, which improves the heat conductivity.

  • 39.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Oxide free wafer bonding of silicon-on-silicon carbide substrates2008Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 40.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Rangsten, Pelle
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Direct bonding for true all quartz package and new resonator design1999Inngår i: Proc of the 1999 joint meeting of the European frequency and time forum and the 1999 IEEE International Frequency Control Meeting, Becanson, France, 1999Konferansepaper (Fagfellevurdert)
1 - 40 of 40
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf