uu.seUppsala universitets publikasjoner
Endre søk
Begrens søket
1 - 29 of 29
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Treff pr side
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
Merk
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Enlund, Johannes
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    An improved electrodeless solidly mounter thin film resonator2005Inngår i: Proc Int IEEE Ultrason Symp, 2005Konferansepaper (Annet vitenskapelig)
  • 2.
    Enlund, Johannes
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David M.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Yantchev, Ventsislav
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    FBAR sensor array for in liquid operation2010Inngår i: IEEE Sensors Journal, ISSN 1530-437X, E-ISSN 1558-1748, Vol. 10, nr 12, s. 1903-1904Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    This letter discusses the design of thickness shear mode thin-film bulk acoustic resonator (FBAR) sensor array for in liquid operation with respect to minimizing the observed Q-degradation and crosstalk.

  • 3.
    Enlund, Johannes
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Yanchev, Ventsislav
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Analysis of Q-degradation and Cross-Talk in BAW Sensor Arrays Operating in Conductive Liquid Media2009Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 4.
    Enlund, Johannes
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Yantchev, Ventsislav
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Solidly mounted thin film electro-acoustic resonator utilizing a conductive Bragg reflector2008Inngår i: Sensors and Actuators A-Physical, ISSN 0924-4247, E-ISSN 1873-3069, Vol. 141, nr 2, s. 598-602Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    A new design of a solidly mounted resonator (SMR) that utilizes an all-metal Bragg reflector eliminating thus the need for a bottom electrode is proposed. In this configuration, the role of the bottom electrode is taken by the Bragg reflector rendering the resonator “combined electrode-Bragg reflector SMR”. The main advantages of the proposed design are the substantially reduced electrode resistance (and hence higher Q), the utilization of the full piezoelectric coupling at high frequencies as well as expected improvement in power handling capabilities due to lower dissipation and improved heat conductivity. Resonators with the classical and the new design have been fabricated and evaluated. The measurements indicate that indeed the resonators with the new design demonstrate improved performance.

  • 5.
    Jensen, J.
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Jonfysik.
    Sanz, R.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Surpi, Alessandro
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Kubart, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vázquez, M.
    Hernandez-Velez, M.
    Implantation of anatase thin film with 100 keV 56Fe ions: Damage formation and magnetic behaviour2009Inngår i: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, ISSN 0168-583X, E-ISSN 1872-9584, Vol. 267, nr 16, s. 2725-2730Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    We have investigated the damage morphology and magnetic properties of titanium dioxide thin films following implantation with Fe ions. The titanium dioxide films, having a polycrystalline anatase structure, were implanted with 100 keV 56Fe+ ions to a total fluence of 1.3 × 1016 ions/cm2. The ion bombardment leads to an amorphized surface with no indication of the presence of secondary phases or Fe clusters. The ion-beam induced damage manifested itself by a marked change in surface morphology and film thickness. A room temperature ferromagnetic behaviour was observed by SQUID in the implanted sample. It is believed that the ion-beam induced damage and defects in the polycrystalline anatase film were partly responsible for the observed magnetic response.

  • 6.
    Jensen, Jens
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Jonfysik.
    Kubart, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Surpi, A
    Blom, Tobias
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Experimentell fysik.
    Topalian, Z
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets fysik.
    Yousef, H
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Mikrosystemteknik.
    Hjort, Klas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Mikrostrukturteknik.
    Sanz, R
    Damage formation in TiO2 by heavy ions: consequences for micro- and nano-struring2008Inngår i: 7th International Symposium on Swift Heavy Ions in Matter (SHIM2008), Lyon, France, 2008Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 7.
    Jensen, Jens
    et al.
    Linkoping University.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Surpi, Alessandro
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi, Materialfysik.
    Kubart, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    ERD analysis and modification of TiO2 thin films with heavy ions2010Inngår i: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, ISSN 0168-583X, E-ISSN 1872-9584, Vol. 268, nr 11-12, s. 1893-1898Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 8.
    Katardjiev, Ilia
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Bjurström, Johan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Yantchev, Ventsislav
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Wingqvist, Gunilla
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Enlund, Johannes
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Recent advances in the thin film electroacoustic technology2006Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 9.
    Kubart, Tomas
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Depla, D
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Nyberg, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Berg, Sören
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    On the high rate reactive sputtering of substoichiometric titanium oxide targets2007Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 10.
    Kubart, Tomas
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Depla, Diederik
    Univ Ghent, Dept Solid State Sci, B-9000 Ghent, Belgium.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Nyberg, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Berg, Sören
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    High rate reactive magnetron sputter deposition of titanium oxide2008Inngår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, ISSN 1, Vol. 92, nr 22, s. 221501-Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    A systematic experimental study of reactive sputtering from substoichiometric targets of TiOx with x ranging from 0 to 1.75 is reported. Experimental results are compared with results from modeling. The developed model describes the observed behavior and explains the origins of the unexpectedly high deposition rate. The behavior is shown to originate from the presence of titanium suboxides at the target surface caused by preferential sputtering of the oxide. The model can be used for optimization of the target composition with respect to the deposition rate and film composition in a stable hysteresis-free reactive sputtering process.

  • 11.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Enlund, Johannes
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Kappertz, Oliver
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Jensen, Jens
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Jonfysik.
    Comparing XPS and ToF-ERDA measurement of high-k dielectric materials2007Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 12.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Enlund, Johannes
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Kappertz, Oliver
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Jensen, Jens
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Jonfysik.
    Comparing XPS and ToF-ERDA measurement of high-k dielectric materials2008Inngår i: Journal of Physics, Conference Series, ISSN 1742-6588, E-ISSN 1742-6596, Vol. 100, nr 1, s. 012036-Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 13.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Enlund, Johannes
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Kappertz, Oliver
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Jensen, Jens
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Jonfysik. Jonfysik.
    Compositional characterization of high-k dielectric material via XPS and ToF-ERDA2006Konferansepaper (Annet (populærvitenskap, debatt, mm))
  • 14.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Enlund, Johannes
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Yantchev, Ventsislav
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jorgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Thick Silicides Synthesised With Smooth Surface for Integrated TFBAR Applications2008Inngår i: 2008 European Frequency and Time Forum, Toulouse, France, 2008Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 15.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Enlund, Johannes
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Yantchev, Ventsislav
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Optimisation of a smooth multilayer Nickel Silicide surface for ALN growth2007Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 16.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Enlund, Johannes
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Yantchev, Ventsislav
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Optimisation of a smooth multilayer Nickel Silicide surface for ALN growth2008Inngår i: Journal of Physics, Conference Series, ISSN 1742-6588, E-ISSN 1742-6596, Vol. 100, nr 4, s. 042014-Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    For use in thin film electroacoustic (TEA) technology a few hundred nanometrethick nickel silicide (NiSi) electrode would need to be fabricated. A complete fabrication process for the formation of over 200 nm thick silicide films has been optimised for use as an electroacoustic electrode. Optimisation of silicidation temperature and identification of the mono phase of silicide is demonstrated. Thick electrodes are formed by depositing multilayers of silicon and nickel pairs onto silicon (Si) substrates before rapid thermal annealing. The numbers of multilayers and relative material thicknesses are optimized for both surface roughness and electrical resistivity. The growth of textured aluminium nitride (AlN) has been investigated on the optimised surfaces.

  • 17.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Yantchev, Ventsislav
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Thick NiSi Electrodes for AlN Electroacoustic Applications2009Inngår i: Electrochemical and solid-state letters, ISSN 1099-0062, E-ISSN 1944-8775, Vol. 12, nr 5, s. H182-H184Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Theuse of thick NiSi electrodes in electroacoustic resonators allows front-endintegration with integrated circuit technology. Problems are identified in theformation of thick nickel silicide (NiSi) electrodes via a singledeposition of Ni onto blank Si wafers. An alternative fabricationprocess based on the deposition and silicidation of a multilayerfilm is presented. The films were found to have lowresistivity and smooth surfaces, with the layered structure preserved evenafter silicidation. Textured piezoelectric films of (002) wurtzite AlN demonstrateda diffraction-peak width that narrows to 3.5° when deposited ona thick 10 pair NiSi film.

  • 18.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Buried aluminum nitride insulator for improving thermal conduction in SOI2008Inngår i: Proceedings of IEEE SOI Conference, 2008, s. 105-106Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    A new Si-on-AlN substrate has been fabricated and characterised both electrically and thermally. Thermal properties of the new substrate have been identified with a thermal resistance reduced by half to 47.5 K/W compared to reference SOI. Further improvements in fabrication of these new SOI substrates with regard to the alpha-Si layer, oxide layer and in AlN film quality itself would utillise the thermal conductivity of AlN even more.

  • 19.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Buried Aluminum Nitride Insulator for SOI Substrates2007Inngår i: Proc. of EUROSOI Workshop, 2007, s. 67-68Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 20.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Improved Thermal Characteristics in SOI using a Buried Aluminium Nitride Insulator2008Inngår i: EUROSOI Workshop, 2008, s. 97-98Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 21.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Yantchev, Ventsislav
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik.
    Thin Film Electro-Acoustic Devices Utilising Buried Electrodes2005Inngår i: Proc. 2005 Gigahertz Symp., Uppsala, Sweden, October 2005, 2005Konferansepaper (Annet vitenskapelig)
  • 22.
    Olsson, Jörgen
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Silicon-on-SiC hybrid substrate with improved high-frequency and thermal performance2008Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 23.
    Olsson, Jörgen
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Silicon-on-SiC hybrid substrate with low RF-losses and improved thermal performance2008Inngår i: Proceedings of GHz Symposium, 2008, s. 79-Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 24. Sanz, R
    et al.
    Hernández-Vélez, M
    Kubart, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Jensen, Jens
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Jonfysik.
    Magnetic behaviour of Fe implanted TiO2 thin films2008Inngår i: Book of Abstracts, Madrid, Spain, 2008Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 25.
    Surpi, Alessandro
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi, Yt- och gränsskiktsvetenskap.
    Göthelid, Emmanuelle
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och astronomi, Yt- och gränsskiktsvetenskap.
    Kubart, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Jensen, J.
    Localised modifications of anatase TiO2 thin films by a Focused Ion Beam2010Inngår i: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, ISSN 0168-583X, E-ISSN 1872-9584, Vol. 268, nr 19, s. 3142-3146Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    A Focused Ion Beam (FIB) has been used to implant micrometer-sized areas of polycrystalline anatase TiO2 thin films with Ga+ ions using fluencies from 10(15) to 10(17) ions/cm(2). The evolution of the surface morphology was studied by scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM). In addition, the chemical modifications of the surface were followed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The implanted areas show a noticeable change in surface morphology as compared to the as-deposited surface. The surface loses its grainy morphology to gradually become a smooth surface with a RMS roughness of less than 1 nm for the highest ion fluence used. The surface recession or depth of the irradiated area increases with ion fluence, but the rate with which the depth increases changes at around 5 x 10(16) ions/cm(2). Comparison with implantation of a pre-irradiated surface indicates that the initial surface morphology may have a large effect on the surface recession rate. Detailed analysis of the XPS spectra shows that the oxidation state of Ti and O apparently does not change, whereas the implanted gallium exists in an oxidation state related to Ga2O3.

  • 26.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Li, L. G.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Thermal characterization of Silicon-on-SiC substrates2008Inngår i: Proceedings of IEEE International SOI Conference, 2008, s. 69-70Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Thermal characterization of the new Si-on-SiC hybrid substrate has shown thermal properties superior in comparison with SOI. The thermal resistivity was shown to be a factor of four lower, and the lateral thermal spread was much more efficient, as is explained by the excellent heat conductivity of the SiC substrate. These results correspond well to the absence of MOSFET self-heating effects for the BaSiC. Transmission electron microscopy reveals a defect free bond and recrystallization of the amorphous silicon, which improves the heat conductivity.

  • 27.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Oxide free wafer bonding of silicon-on-silicon carbide substrates2008Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 28. Wolborski, M
    et al.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Bakowski, M
    Hallén, Anders
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Jonfysik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Improved properties of AlON/4H-SiC interface for passivation2007Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 29.
    Wolborski, M.
    et al.
    Royal Institute of Technology.
    Martin, David M.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Bakowski, M
    Royal Institute of Technology.
    Hallen, A.
    Royal Institute of Technology.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Improved Properties of AlON/4H-SiC Interface for Passivation Studies2009Inngår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 600-603, s. 763-766Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Aluminium oxynitride (AlON) films of variable composition were grown by reactive sputter deposition in a N2/O2 ambient at room temperature and studied for device passivation. The films were deposited on Si and 4H-SiC substrates as well as on SiC PiN diodes. The AlON/SiO2/SiC stack provided superior interface properties compared to the AlON/SiC structure. Samples with 8% oxygen content, in the AlON film, and subjected to a UV exposure prior to deposition, exhibited the smallest net positive interface charge. A large net negative interface charge was observed for samples with 10% oxygen content and for the samples with 8% oxygen content and subjected to a RCA1 surface clean, prior to deposition. Diodes passivated with AlON films demonstrated reduced leakage current compared to as-processed diodes.

1 - 29 of 29
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf