uu.seUppsala universitets publikationer
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
12 1 - 50 av 89
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Abou-Ras, Daniel
    et al.
    Helmholtz Zentrum Berlin Mat & Energie GmbH, Hahn Meitner Pl 1, D-14109 Berlin, Germany..
    Wagner, Sigurd
    Princeton Univ, Dept Elect Engn, Princeton, NJ 08544 USA..
    Stanbery, Bill J.
    Siva Power, 5102 Calle Sol, Santa Clara, CA 95054 USA..
    Schock, Hans-Werner
    Helmholtz Zentrum Berlin Mat & Energie GmbH, Hahn Meitner Pl 1, D-14109 Berlin, Germany..
    Scheer, Roland
    Martin Luther Univ Halle Wittenberg, Inst Phys, Photovolta Grp, D-06120 Halle, Saale, Germany..
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik. Solibro Res AB, Sweden.
    Siebentritt, Susanne
    Univ Luxembourg, Phys & Mat Sci Res Unit, Lab Photovolta, Belvaux, Luxembourg..
    Lincot, Daniel
    CNRS EDF Chim Paristech PSL, Inst Photovolta Ile France IPVF, IRDEP, 6 Quai Watier, F-78401 Chatou, France..
    Eberspacher, Chris
    Solopower Syst Inc, Corp & Mfg Headquarters, 6308 North Marine Dr, Portland, OR 97203 USA..
    Kushiya, Katsumi
    Solar Frontier KK, 123-1 Shimo Kawairi, Atsugi, Kanagawa, Japan..
    Tiwari, Ayodhya N.
    Empa Swiss Fed Labs Mat Sci & Technol, Lab Thin Films & Photovolta, Ueberlandstr 129, CH-8600 Dubendorf, Switzerland..
    Innovation highway: Breakthrough milestones and key developments in chalcopyrite photovoltaics from a retrospective viewpoint2017Ingår i: Thin Solid Films, ISSN 0040-6090, E-ISSN 1879-2731, Vol. 633, s. 2-12Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The present contribution is a summary of an event that was organized as a special evening session in Symposium V "Chalcogenide Thin-Film Solar Cells" at the E-MRS 2016 Spring Meeting, Lille, France. The presentations in this session were given by the coauthors of this paper. These authors present retrospectives of key developments in the field of Cu(In,Ga)(S,Se)(2) solar cells as they themselves had witnessed in their laboratories or companies. Also, anecdotes are brought up, which captured interesting circumstances in that evolutionary phase of the field. Because the focus was on historical perspectives rather than a comprehensive review of the field, recent developments intentionally were not addressed.

  • 2.
    Bayrak Pehlivan, Ilknur
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets fysik.
    Edoff, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Solibro research AB.
    Edvinsson, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets fysik. tomas.edvinsson@angstrom.uu.se.
    Optimum Band Gap Energy of ((Ag),Cu)(InGa)Se2 Materials for Combination with NiMo–NiO Catalysts for Thermally Integrated Solar-Driven Water Splitting Applications2019Ingår i: Energies, ISSN 1996-1073, E-ISSN 1996-1073, Vol. 12, artikel-id 4064Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 3.
    Bodegard, Marika
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Granath, Karin
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Rockett, Angus
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    The behaviour of Na implanted into Mo thin films during annealing1999Ingår i: SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, ISSN 0927-0248, Vol. 58, nr 2, s. 199-208Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Na implants have been used to study diffusion of Na in rf diode sputtered Mo thin films used as back contacts for Cu(In,Ga)Se, solar cells. The samples were analysed with secondary ion mass spectrometry before and after vacuum anneals at 420 degrees C and

  • 4.
    Bodegård, Marika
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Granath, Karin
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Growth of Cu(In,Ga)Se2 thin films by coevaporation using alkaline precursors2000Ingår i: Thin Solid Films, Vol. 361-362, s. 9-16Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 5.
    Bodegård, Marika
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Granath, Karin
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Growth of Cu(In,Ga)Se2 thin films by coevaporation using alkaline precursos1999Ingår i: E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, June 1-4, 1999, 1999Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 6.
    Bodegård, Marika
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Kessler, John
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Lundberg, Olle
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Schöldström, Jens
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Growth of Coevaporated Cu(In,Ga)Se2 - The Influence of Rate Profiles on Film Morphology2001Ingår i: Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 668, H2.2.1-H2.2.12, 2001Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 7.
    Bodegård, Marika
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Lundberg, Olle
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Analytisk materialfysik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Re-crystallisation and interdiffusion in CGS/CIS bilayers2003Ingår i: Thin Solid Films, Vol. 431-432, s. 46-52Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 8.
    Bodegård, Marika
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets fysik. Fasta tillståndets elektronik.
    Lundberg, Olle
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets fysik. Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets fysik. Fasta tillståndets fysik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets fysik. Fasta tillståndets elektronik.
    Re-crystallisation and Interdiffusion in CGS/CIS Bilayers2002Ingår i: Proc E-MRS, June, Strasbourg, France, 2002Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 9.
    Bodegård, Marika
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Lundberg, Olle
    Fasta tillståndets elektronik.
    Malmström, Jonas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Rockett, Angus
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    High voltage Cu(In,Ga)Se2 devices with Ga-profiling fabricated using co-evaporation2000Ingår i: Proceedings of the 28th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2000, s. 430-433Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 10.
    Donzel-Gargand, Olivier
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Larsson, Fredrik
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Törndahl, Tobias
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik. Solibro Research AB, Vallvägen 5, Uppsala,Sweden.
    Edoff, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Secondary phase formation and surface modification from a high dose KF-post deposition treatment of (Ag,Cu)(In,Ga)Se-2 solar cell absorbers2019Ingår i: Progress in Photovoltaics, ISSN 1062-7995, E-ISSN 1099-159X, Vol. 27, nr 3, s. 220-228Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In this study, we assessed the potential of KF-post deposition treatment (PDT) performed on a silver-alloyed Cu (In,Ga)Se-2 (ACIGS) solar absorber. ACIGS absorbers with Ag/Ag + Cu ratio (Ag/I) close to 20% were co-evaporated on a Mo-coated glass substrate and exposed to in-situ KF-PDT of various intensities. The current-voltage characteristics indicated that an optimized PDT can be beneficial, increasing in our study the median V-oc and efficiency values by +48 mV and + 0.9%(abs) (from 728 mV and 16.1% efficiency measured for the sample without PDT), respectively. However, an increased KF-flux during PDT resulted in a net deterioration of the performance leading to median V-oc and efficiency values as low as 503 mV and 4.7%. The chemical composition analysis showed that while the reference absorber without any post deposition treatment (PDT) was homogeneous, the KF-PDT induced a clear change within the first 10 nm from the surface. Here, the surface layer composition was richer in K and In with an increased Ag/I ratio, and its thickness seemed to follow the KF exposure intensity. Additionally, high-dose KF-PDT resulted in substantial formation of secondary phases for the ACIGS. The secondary phase precipitates were also richer in Ag, K, and In, and electron and X-ray diffraction data match with the monoclinic C 1 2/c 1 space group adopted by the Ag-alloyed KInSe2 phase. It could not be concluded whether the performance loss for the solar cell devices originated from the thicker surface layer or the presence of secondary phases, or both for the high-dose KF-PDT sample.

  • 11.
    Donzel-Gargand, Olivier
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Larsson, Fredrik
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Törndahl, Tobias
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik. Solibro Research AB.
    Edoff, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Surface Modification And Secondary Phase Formation From a High Dose KF-Post Deposition Treatment of (Ag,Cu)(In,Ga)Se2 Solar Cell AbsorbersIngår i: Progress in Photovoltaics, ISSN 1062-7995, E-ISSN 1099-159XArtikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In this study we assessed the potential of KF-Post Deposition Treatment (PDT) performed on a silver-alloyed Cu(Inx,Ga1-x)Se2 (ACIGS) solar absorber. ACIGS absorbers with Ag/Ag+Cu ratio (Ag/I) close to 20% were co-evaporated on a Mo-coated glass substrate and exposed to in-situ KF-PDT of various intensities. The current-voltage characteristics indicated that an optimized PDT can be beneficial, increasing in our study the median Voc and efficiency values by +48 mV and +0.9 %abs (from 728 mV and 16.1 % efficiency measured for the sample without PDT), respectively. However, an increased KF-flux during PDT resulted in a net deterioration of the performance leading to median Voc and efficiency values as low as 503 mV and 4.7 %. The chemical composition analysis showed that while the reference absorber without any PDT was homogeneous, the KF-PDT induced a clear change within the first 10 nm from the surface. Here, the surface layer composition was richer in K and In with an increased Ag/I ratio, and its thickness seemed to follow the KF exposure intensity. Additionally, high-dose KF-PDT resulted in substantial formation of secondary phases for the ACIGS. The secondary phase precipitates were also richer in Ag, K and In, and Electron and X-ray diffraction data match with the monoclinic C 1 2/c 1 space group adopted by the Ag-alloyed KInSe2 (AKIS) phase. It could not be concluded whether the performance loss for the solar cell devices originated from the thicker surface layer or the presence of secondary phases, or both for the high-dose KF-PDT sample.

  • 12.
    Donzel-Gargand, Olivier
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Thersleff, T.
    Stockholm University, Department of Materials and Environmental Chemistry 106 91 Stockholm.
    Keller, Jan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Törndahl, Tobias
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Larsson, Fredrik
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Wallin, E.
    Solibro Research AB, Vallvägen 5, Uppsala, Sweden.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik. Solibro Research AB, Vallvägen 5, Uppsala, Sweden.
    Edoff, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Cu-depleted patches induced by presence of K during growth of CIGS absorbers2017Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The conversion efficiency of the CIGS thin film solar cells has rapidly increased since introduction of the heavier alkali-doping (K, Rb, Cs). While the exclusive introduction of Na in the CIGS films has led to efficiencies up to 20,4% 1, the latest K, Rb or Cs post deposition treatments (PDT) have increased the efficiency to 22,6% 2. The exact role of this heavy-alkali PDT is still under discussion but three explanations have been discussed in the literature. First, that the heavy alkali PDT facilitates CdCu substitution, that results in an enhanced absorber type inversion, moving the p-n junction further into the CIGS bulk 3. Second, that the main effect from heavy alkali PDT is due to the formation of a K-In-Se2 layer, that passivates defects at the CIGS surface, reducing interface recombination 4. And third, that the heavy alkali PDT induces a Cu depletion at the surface of the CIGS which, by increasing the local Fermi level, increases the band bending; thus creating a higher potential barrier for holes to recombine 5.

  • 13.
    Donzel-Gargand, Olivier
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Thersleff, Thomas
    Stockholms Univ, Nat Skapliga Fak, Inst Mat & Miljokemi, Stockholm.
    Keller, Jan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Törndahl, Tobias
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Larsson, Fredrik
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Wallin, Erik
    Solibro Research AB, Uppsala, Sweden.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik. Solibro Research AB, Uppsala, Sweden.
    Edoff, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Deep surface Cu depletion induced by K in high-efficiency Cu(In,Ga)Se2 solar cell absorbers2018Ingår i: Progress in Photovoltaics, ISSN 1062-7995, E-ISSN 1099-159X, Vol. 26, nr 9, s. 730-739Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In this work, we used K‐rich glass substrates to provide potassium during the coevaporation of Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) absorber layers. Subsequently, we applied a postdeposition treatment (PDT) using KF or RbF to some of the grown absorbers. It was found that the presence of K during the growth of the CIGS layer led to cell effi- ciencies beyond 17%, and the addition of a PDT pushed it beyond 18%. The major finding of this work is the observation of discontinuous 100‐ to 200‐nm‐deep Cu‐ depleted patches in the vicinity of the CdS buffer layer, correlated with the presence of K during the growth of the absorber layer. The PDT had no influence on the forma- tion of these patches. A second finding concerns the composition of the Cu‐depleted areas, where an anticorrelation between Cu and both In and K was measured using scanning transmission electron microscopy. Furthermore, a steeper Ga/(In+Ga) ratio gradient was measured for the absorbers grown with the presence of K, suggesting that K hinders the group III element interdiffusion. Finally, no Cd in‐diffusion to the CIGS layer could be detected. This indicates that if CdCu substitution occurs, either their concentration is below our instrumental detection limit or its presence is contained within the first 6 nm from the CdS/CIGS interface.

  • 14. Dullweber, T
    et al.
    Lundberg, Olle
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Malmström, Jonas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Rau, U
    Schock, H W
    Werner, J H
    Back surface bandgap gradings in Cu(In,Ga)Se2 solar cells2001Ingår i: Thin Solid Films, Vol. 387, s. 11-13Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 15. Dullweber, T
    et al.
    Lundberg, Olle
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Malmström, Jonas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Rau, U
    Schock, H-W
    Werner, J H
    Back surface band gap gradings in Cu(In,Ga)Se2 solar cells2000Ingår i: E-MRS, Strasbourgh, May 30 - June 2, 2000Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 16.
    Edoff, Marika
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Jarmar, Tobias
    Solibro Res AB, S-75651 Uppsala, Sweden..
    Shariati Nilsson, Nina
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Wallin, Erik
    Solibro Res AB, S-75651 Uppsala, Sweden..
    Hogstrom, Daniel
    Solibro Res AB, S-75651 Uppsala, Sweden..
    Stolt, Olof
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lundberg, Olle
    Solibro Res AB, S-75651 Uppsala, Sweden..
    Shafarman, William
    Univ Delaware, Inst Energy Convers, Newark, DE 19716 USA..
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik. Solibro Res AB, S-75651 Uppsala, Sweden..
    High Voc in (Cu,Ag)(In,Ga)Se2 Solar Cells2017Ingår i: IEEE Journal of Photovoltaics, ISSN 2156-3381, E-ISSN 2156-3403, Vol. 7, nr 6, s. 1789-1794Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In this contribution, we show that silver substitution for copper in Cu(In,Ga)Se-2 (CIGS) to form (Ag,Cu)(In, Ga)Se-2 (ACIGS) leads to a reduction of the voltage loss expressed as E-g/q-V-oc. This, in turn, leads to higher device efficiencies as compared to similar CIGS devices without Ag. We report V-oc at 814 mV at a conversion efficiency of 21% for our best ACIGS device with 20% of the group I element consisting of silver. Comparing ACIGS and CIGS devices with the same Ga/(Ga+ In) ratio, the ACIGS devices exhibit about 0.05 eV higher bandgap. Alkali postdeposition treatment with KF leads to improvements in efficiency both for CIGS and ACIGS, but we find that the dose of KF needed for optimum device for ACIGS is 10-20% of the dose used for CIGS.

  • 17.
    Edoff, Marika
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Malmberg, Lina
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Malm, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Influence of CBD-deposited CdS on the carrier collection in CIGS-based solar cells2006Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 18.
    Edoff, Marika
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Woldegiorgis, Sara
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Neretnicks, Peter
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Ruth, Marta
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Kessler, John
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    CIGS Submodules with High Performance and High Manufacturability2004Ingår i: 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Paris, 7-11 June, 2004Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
  • 19.
    Granath, Karin
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegard, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    The effect of NaF on Cu(In, Ga)Se-2 thin film solar cells2000Ingår i: SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, ISSN 0927-0248, Vol. 60, nr 3, s. 279-293Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This work investigates NaF, on Mo coated sodium barrier glass, as a sodium precursor for the growth of Cu(In, Ga)Se-2 for thin him solar cells. These precursor layers are investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) before and after annealing, a

  • 20.
    Granath, Karin
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Rockett, Angus
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Schroeder, D J
    Sodium in Sputtered Mo Back Contacts for Cu(In,Ga)Se2 Devices: Incorporation, Diffusion and Relationship to Oxygen1997Ingår i: The 14th European Photovoltaic Solar Energy Conf. 1278, Barcelona Spain, 1997Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 21. Igalson, M
    et al.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Recombination centers in the Cu(In,Ga)Se2-based photovoltaic devices2003Ingår i: J Phys Chem Solids, Vol. 64, s. 2041-2045Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 22. Igalson, M
    et al.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Reversible changes of the fill factor in the ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 solar cells2003Ingår i: Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol. 80, nr 2, s. 195-207Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 23. Igalson, M
    et al.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Jasenek, A
    The ”defected layer” and the mechanism of the interface-related metastable behavior in the ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 devices2003Ingår i: Thin Solid Films, Vol. 431-432, s. 153-157Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 24. Igalson, M
    et al.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    DLTS spectra of thin film photovoltaic devices based on Cu(In,Ga)21997Ingår i: The 14th European Photovoltaic Conf. 2153, 1997Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 25.
    Johansson, E
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Fysiska institutionen. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi.
    Platzer-Björkman, C
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Rensmo, H
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Fysiska institutionen. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi.
    Sandell, A
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Fysiska institutionen. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi.
    Siegbahn, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Fysiska institutionen. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Gorgoi, M
    Svensson, S
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Fysiska institutionen. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi.
    Lewin, Erik
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi. oorganisk kemi.
    Schäfers, F
    Braun, W
    Eberhardt, W
    HIKE experiments at KMC-1: Studies of Solar Cell Materials2007Ingår i: Berliner Elektronenspeicherring-Gesellschaft für Synchrotronstrahlung m.b.H. (BESSY) Annual Report (2006), nr 508-509Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 26.
    Keller, Jan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Chalvet, Francis
    Solibro Res AB, Vallvagen 5, S-75151 Uppsala, Sweden.
    Joel, Jonathan
    Solibro Res AB, Vallvagen 5, S-75151 Uppsala, Sweden.
    Aijaz, Asim
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Kubart, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Riekehr, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Edoff, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik. Solibro Res AB, Vallvagen 5, S-75151 Uppsala, Sweden.
    Törndahl, Tobias
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Effect of KF absorber treatment on the functionality of different transparent conductive oxide layers in CIGSe solar cells2018Ingår i: Progress in Photovoltaics, ISSN 1062-7995, E-ISSN 1099-159X, Vol. 26, nr 1, s. 13-23Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This contribution studies the impact of the KF-induced Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) absorber modification on the suitability of different transparent conductive oxide (TCO) layers in solar cells. The TCO material was varied between ZnO:Al (AZO), ZnO:B (BZO), and In2O3:H (IOH). It is shown that the thermal stress needed for optimized TCO properties can establish a transport barrier for charge carriers, which results in severe losses in fill factor (FF) for temperatures >150°C. The FF losses are accompanied by a reduction in open circuit voltage (Voc) that might originate from a decreased apparent doping density (Nd,app) after annealing. Thermally activated redistributions of K and Na in the vicinity of the CdS/(Cu,K)-In-Se interface are suggested to be the reason for the observed degradation in solar cell performance. The highest efficiency was measured for a solar cell where the absorber surface modification was removed and a BZO TCO layer was deposited at a temperature of 165°C. The presented results highlight the importance of well-designed TCO and buffer layer processes for CIGSe solar cells when a KF post deposition treatment (KF-PDT) was applied.

  • 27.
    Keller, Jan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Gustavsson, Fredrik
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Edoff, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Törndahl, Tobias
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    On the beneficial effect of Al2O3 front contact passivation in Cu(In,Ga)Se2 solar cells2017Ingår i: Solar Energy Materials and Solar Cells, ISSN 0927-0248, E-ISSN 1879-3398, Vol. 159, s. 189-196Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This study reports on the beneficial effect of an absorber surface passivation by Al2O3 on the performance of Cu(In, Ga)Se-2 (CIGSe) solar cells. Here the Al2O3 layer is deposited by atomic layer deposition (ALD) subsequently to a CdS buffer layer. It is shown that a very thin film of about 1 nm efficiently reduces the interface recombination rate if the buffer layer is too thin to not fully cover the CIGSe absorber. An Al2O3 thickness of 1 nm is sufficiently low to allow current transport via tunneling. Increasing the thickness to > 1 nm leads to a detrimental blocking behavior due to an exponentially decreasing tunnel current. Losses in open circuit voltage (V-oc) and fill factor (FF) when reducing the buffer layer thickness are significantly mitigated by implementing an optimized Al2O3 layer. It is further shown, that the heat treatment during the ALD step results in an increase in short circuit current density (J(sc)) of about 2 mA/cm(2). This observation is attributed to a widening of the space charge region in the CIGSe layer that in turn improves the collection probability of electrons. For not fully covering CdS layers the decrease in interface defect density by the passivation contributes as well, leading to a gain of about 5 mA/cm2 for cells without a buffer. Finally, the leakage current of the solar cell devices could be reduced when applying the Al2O3 layer on insufficiently covering CdS films, which proves the capability of mitigating the effect of shunts or bad diodes.

  • 28.
    Keller, Jan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lindahl, Johan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Edoff, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Törndahl, Tobias
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Potential gain in photocurrent generation for Cu(In,Ga)Se2 solar cells by using In2O3 as a transparent conductive oxide layer2016Ingår i: Progress in Photovoltaics, ISSN 1062-7995, E-ISSN 1099-159X, Vol. 24, nr 1, s. 102-107Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This study highlights the potential of atomic layer deposited In2O3 as a highly transparent and conductive oxide (TCO)layer in Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) solar cells. It is shown that the efficiency of solar cells which use Zn-Sn-O (ZTO) as an alternativebuffer layer can be increased by employing In2O3 as a TCO because of a reduction of the parasitic absorption inthe window layer structure, resulting in 1.7 mA/cm2 gain in short circuit current density (Jsc). In contrast, a degradation ofdevice properties is observed if the In2O3 TCO is combined with the conventional CdS buffer layer. The estimated improvementfor large-scale modules is discussed.

  • 29.
    Keller, Jan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Edoff, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Törndahl, Tobias
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Atomic layer deposition of In2O3 transparent conductive oxide layers for application in Cu(In,Ga)Se2 solar cells with different buffer layers2016Ingår i: Physica Status Solidi (a) applications and materials science, ISSN 1862-6300, E-ISSN 1862-6319, Vol. 213, nr 6, s. 1541-1552Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This contribution presents the development of atomic layer deposited (ALD) In2O3 films for utilization as transparent conductive oxide (TCO) layers in Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) solar cells. The effects of ALD process parameters on the morphology and growth of In2O3 are studied and related to the electrical and optical properties of the films. Maintaining similar resistivity values compared to commonly used ZnO:Al (AZO) TCOs (ρ = (5–7) × 10−4 Ωcm), a superior mobility of μ ≈ 110 cm2/Vs could be achieved (more than five times higher than a ZnO:Al reference), which results in a significantly reduced parasitic optical absorption in the infrared region. Application of the optimized In2O3 layers in CIGSe solar cells with varying buffer layers (CdS and Zn1–xSnxOy (ZTO)) leads to a distinct improvement in short circuit current density Jsc in both cases. While for solar cells containing the ZTO/In2O3 window structure, a drop in open-circuit voltage Voc and a deterioration under illumination is observed, the TCO exchange (from AZO to In2O3) on CdS buffer layers results in an increase in Voc without detectable light bias degradation. The efficiency η of the best corresponding solar cells could be improved by about 1% absolute.

  • 30.
    Keränen, J
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. ANALYTICAL MATERIAL PHYSICS.
    Lu, Jun
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets fysik.
    Barnard, J
    Sterner, Jan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Kessler, John
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Matthes, Th W
    Olsson, E
    Effect of Sulfurization on the Microstructure of Chalcopyrite Thin Film Absorbers2001Ingår i: Thin Solid Films, Vol. 387, s. 80-82Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 31.
    Kessler, John
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Hedström, J
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Baseline Cu(In,Ga)Se2 Device Production: Control and Statistical Significance1999Ingår i: 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Sapporo, Japan, September 20-24, 1999Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 32.
    Kessler, John
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Hedström, J
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Baseline Cu(In,Ga)Se2 Device Production: Control and Statistical Significance2001Ingår i: Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 67, s. 67-76Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 33.
    Kessler, John
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Hedström, J
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Cu(In,Ga)Se2 devices: From cells to minimodules2000Ingår i: E-MRS, Strasbourgh, May 30 – June 2, 2000Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 34.
    Kessler, John
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Hedström, J
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    New world record Cu(In,Ga)Se2 based minimodule: 16.6%2000Ingår i: Sixteenth European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Glasgow, May 1-5, 2000Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 35.
    Kessler, John
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Chityuttakan, C
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Schöldström, Jens
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Growth of Cu(In,Ga)Se2 films using a Cu-poor/rich/poor sequence: substrate temperature effects2003Ingår i: Thin Solid Films, Vol. 431-432, s. 1-5Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 36.
    Kessler, John
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Chityuttakan, Chanwit
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Mikrostrukturlaboratoriet.
    Schöldström, Jens
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Cu(In,Ga)Se2 thin films grown with a Cu-poor/rich/poor sequence: Growth model and structural considerations2003Ingår i: Progress in Photovoltaics: Research and Applications, Vol. 11, s. 319-331Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 37.
    Kessler, John
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Chityuttakan, Chanwit
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Schöldström, Jens
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Growth of Cu(In,Ga)Se2 Films Using a Cu-poor/rich/poor Sequence: Substrate Temperature Effects2002Ingår i: Proc. E-MRS, June 2002, Strasbourg, France, 2002Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 38.
    Kessler, John
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Lundberg, Olle
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Wennerberg, Johan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Optimization of RF-sputtered ZnO/ZnO:Al for Cu(In,Ga)Se2 based devices2000Ingår i: Proc 16th EPVSEC, Glasgow, May, 2000, s. 775-778Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 39.
    Kessler, John
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Schöldström, Jens
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Analysis of CIGS Films and Devices Resulting from Different Cu-rich to Cu-poor Transitions2001Ingår i: Proc. 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Munich, Oct, 2001Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 40.
    Kessler, John
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Wennerberg, Johan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Highly efficient Cu(In,Ga)Se2 mini-modules2003Ingår i: Solar energy Materials & Solar Cells, Vol. 75, s. 35-46Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 41.
    Kylner, Angela
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Lindgren, J
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Impurities in chemical bath deposited CdS films for Cu(In,Ga)Se-2 solar cells and their stability1996Ingår i: JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, ISSN 0013-4651, Vol. 143, nr 8, s. 2662-2669Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The highest efficiencies for Cu(In,Ga)Se-2-based thin dim solar cells have been achieved with CdS films prepared by a solution growth method known as the chemical bath deposition (CBD) technique. The impurity content in such cadmium sulfide films has bee

  • 42.
    Kylner, Angela
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Rockett, Angus
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Oxygen in Solution Grown Cds Films for Thin Film Solar Cells1996Ingår i: Solid State Phenomena, Vol. 51-52, s. 533-540Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 43.
    Lu, Jun
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets fysik. Elektronik. Fasta tillståndets fysik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets fysik. Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Granath, Karin
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets fysik. Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Kessler, John
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets fysik. Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets fysik. Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Olson, E
    The Influence of Na on the Microstructure of Cu(InxGa1-x)Se2 Based Solar Cell Thin Films2001Ingår i: 52nd annual meeting of the Scandinavian Society for Electron Microscopy, Stockholm 12-15 June 2001,Book of Abstracts : Abstract No P87, 2001, s. 184-185Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 44.
    Lundberg, Olle
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Malmström, Jonas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Influence of the Cu(In,Ga)Se2 Thickness and Ga Grading on Solar Cell Performance2003Ingår i: Progress in Photovoltaics: Science and Applications, Vol. 11, s. 77-88Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 45.
    Lundberg, Olle
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    High efficiency thin film solar cells with low In content due to thin Cu(In,Ga)Se2 and Ga grading2000Ingår i: Sixteenth European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Glasgow, May 1-5, 2000Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 46.
    Lundberg, Olle
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Rapid growth of thin Cu(In,Ga)Se2 layers for solar cells2003Ingår i: Thin Solid Films, Vol. 431-432, s. 26-30Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 47.
    Lundberg, Olle
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Bodegård, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Rapid Growth of Thin Cu(In,Ga)Se2 Layers for Solar Cells2002Ingår i: Proc. E-MRS, June 2002, Strasbourg, France, 2002Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 48.
    Lundberg, Olle
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Edoff, Marika Edoff
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Optimized growth conditions for Cu(In,Ga)Se2 layers by co-evaporation at high deposition rates2003Ingår i: Material Research Conference, Spring 2003, San Francisco, USA, 2003Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 49.
    Lundberg, Olle
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Edoff, Marika
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    The effect of Ga-grading in CIGS thin film solar cells2005Ingår i: Thin Solid Films, Vol. 480-481, s. 520-525Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 50.
    Lundberg, Olle
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets fysik.
    Rockett, Angus
    Edoff, M
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Stolt, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fasta tillståndets elektronik.
    Diffusion of indium and gallium in Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells2002Ingår i: Proceedings of the International Conference on Ternary and Multinary Compounds, Paris, France, October, 2002Konferensbidrag (Refereegranskat)
12 1 - 50 av 89
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf