uu.seUppsala universitets publikasjoner
Endre søk
Begrens søket
1 - 31 of 31
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Treff pr side
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
Merk
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Chen, Si
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Nyholm, Leif
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi.
    Jokilaakso, Nima
    School of Biotechnology, KTH, Stockholm.
    Karlström, Amelie Eriksson
    School of Biotechnology, KTH, Stockholm.
    Linnros, Jan
    School of Information and Communication Technology, KTH, Stockholm.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Zhang, Shi-Li
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Current Instability for Silicon Nanowire Field-Effect Sensors Operating in Electrolyte with Platinum Gate Electrodes2011Inngår i: Electrochemical and solid-state letters, ISSN 1099-0062, E-ISSN 1944-8775, Vol. 14, nr 7, s. J34-J37Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Current instability is observed for silicon nanowire field-effect transistors operating in electrolytes with Pt gate electrodes. A comparative study involving an Ag/AgCl-reference gate electrode reveals that the effect results from a drift in the potential at the Pt-electrode/electrolyte interface. In a phosphate buffer saline of pH 7.4, the stabilization of the potential of the Pt electrode was found to require approximately 1000 s. A concurrent potential drift, with a comparable time constant, occurring at the electrolyte/oxidized-nanowire interface rendered a complex device current response which complicated the interpretation of the results.

  • 2.
    Engelmark, Fredrik
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Iriarte, Gonzalo Fuentes
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Hårsta, Anders
    Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. oorganisk kemi.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Materialvetenskap.
    Berg, Sören
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Kemiska sektionen, Institutionen för materialkemi, Oorganisk kemi. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Synthesis of highly oriented piezoelectric AlN films by reactive sputter deposition2000Inngår i: J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 18, nr 4, s. 1609-1612Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 3.
    Gao, Xindong
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Andersson, Joakim
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Kubart, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Nyberg, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, J.
    Hultman, L.
    Kellock, A.
    Zhen, Zhang
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lavoie, C.
    Zhang, Shi-Li
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Epitaxy of Ultrathin NiSi2 Films with Predetermined Thickness2011Inngår i: Electrochemical and solid-state letters, ISSN 1099-0062, E-ISSN 1944-8775, Vol. 12, s. H268-H270Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 4.
    Gao, Xindong
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Andersson, Joakim
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Kubart, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Nyberg, Tomas
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Dept of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linköping University.
    Hultman, Lars
    Dept of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linköping University.
    Kellock, Andrew J
    IBM Almaden Research Center, San Jose, CA, USA.
    Zhang, Zhen
    IBM T J Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA.
    Lavoie, Christian
    IBM T J Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA.
    Zhang, Shi-Li
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Epitaxy of Ultrathin NiSi2 Films with Predetermined Thickness2011Inngår i: Electrochemical and solid-state letters, ISSN 1099-0062, E-ISSN 1944-8775, Vol. 14, nr 7, s. H268-H270Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    This letter presents a proof-of-concept process for tunable, self-limiting growth of ultrathin epitaxial NiSi2 films on Si (100). The process starts with metal sputter-deposition, followed by wet etching and then silicidation. By ionizing a fraction of the sputtered Ni atoms and biasing the Si substrate, the amount of Ni atoms incorporated in the substrate after wet etching can be controlled. As a result, the thickness of the NiSi2 films is increased from 4.7 to 7.2 nm by changing the nominal substrate bias from 0 to 600 V. The NiSi2 films are characterized by a specific resistivity around 50 mu Omega cm.

  • 5.
    Jarmar, Tobias
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Ericson, Fredric
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Seger, J
    Zhang, S.L.
    Influence of germanium on the formation of NiSi1-xGex on(111)-oriented Si1-xGex2005Inngår i: Journal of Applied Physics, Vol. 98Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 6.
    Jarmar, Tobias
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Zhang, Z.-B.
    Seger, J
    Ericson, Fredric
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Zhang, S.-L
    Germanium-induced texture and preferential orientation of NiSi1 xGex2004Inngår i: Physical Review B 70Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 7. Johansson, Ted
    et al.
    Malm, B. Gunnar
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Östling, Mikael
    Influence of SOI-generated stress on BiCMOS performance2005Inngår i: European Solid-State Device Reserach Conference (ESSDERC), 2005Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 8. Johansson, Ted
    et al.
    Malm, B. Gunnar
    Norström, Hans
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Materialvetenskap.
    Östling, Mikael
    Influence of SOI-generated stress on BiCMOS performance2006Inngår i: Solid-State Electronics, ISSN 0038-1101, Vol. 50, nr 6, s. 935-942Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Two BiCMOS processes were adapted for SOI and the performance of the bipolar devices was studied. Differences in electrical parameters were observed, in particular the current gain, which processing or doping profiles could not explain, but correlated with observed stress in transistors. Simulation of the process flow with stress included revealed that stress was generated to a higher degree in the SOI wafers in the presence of deep trench isolation (DTI). Theoretical estimations and electrical simulations with and without stress yielded results consistent with observed data. Thus, we conclude that the observed differences are caused by process-induced in-plane biaxial stress.

  • 9.
    Jonsson, Lars
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Westlinder, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Engelmark, Fredrik
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Hedlund, Christer
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Du, Jing
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Materialvetenskap.
    Blom, Hans-Olof
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Patterning of tantalum pentoxide, a high epsilon material, by inductively coupled plasma etching2000Inngår i: J Vac Sci Technol, Vol. B18, nr 4, s. 1906-1910Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 10.
    Li, Ling-Guang
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Oxide-Free Silicon to Silicon Carbide Heterobond2008Inngår i: ESC Transactions, ISSN 1938-6737, Vol. 16, nr 8, s. 377-383Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Thin crystalline device layersof Si were bonded to Si-faced SiC wafers, with eithera chemical or a thermal oxide interface layer. The interfacethermal oxide was successfully removed by oxygen out-diffusion for 2.5h in an Ar atmosphere at 1250 oC. XTEM micrographsshowed that an abrupt transition between Si and SiC withcomplete removal of the interlayer oxide had been obtained. Stressgenerated during the cool-down process after oxygen out-diffusion was shownto be compressive. IR imaging and an optical microscopy verifiedthat no cracks occurred during cool-down.

  • 11.
    Li, Ling-Guang
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Oxide-Free Silicon to Silicon Carbide Heterobond2008Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 12.
    Li, Ling-Guang
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Mikrostrukturlaboratoriet, MSL.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Oxygen out-diffusion from buried layers in SOI and SiC-SOI substrates2010Inngår i: Solid-State Electronics, ISSN 0038-1101, E-ISSN 1879-2405, Vol. 54, nr 2, s. 153-157Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    We have made a comparative study of the oxygen out-diffusion process during heat treatment of SOI wafers and SiC-SOI hybrid substrates. SOI materials with three different thicknesses (2, 20 and 410 nm) of buried oxide (BOX) were used in the investigation High-resolution cross-sectional transmission electron microscopy (HRXTEM) together with laser interferometry was used to determine the remaining thickness of the BOX-layer after heat treatment. After complete removal of the BOX-layer of SOI wafers, the St/Si interface appears to be sharp and defect-free. Similar results were obtained for SiC-SOI hybrid substrates after removal of the entire buried oxide layer. For all combinations investigated oxide removal was accompanied by a thickness reduction and roughening of the silicon surface layer as verified by atomic force microscopy (AFM).

    Download (pdf)
    sammanfattning
  • 13.
    Li, Lingguang
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Study of Oxygen Out-diffusion from buried oxide layers in Si/SiC hybrid- and SOI-substrates2009Inngår i: EUROSOI 2009 CONFERENCE PROCEEDINGS: Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-on-Insulator, Technology, Devices and Circuits / [ed] Olof Engström, 2009, s. 85-86Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    We have studied the SiO2 out-diffusion (Ox-away) process from Si/SiC hybrid substrates (Si-SiO2-SiC), thin BOX SOI and commercial SOI. For the former two kinds of substrates, HRXTEM micrographs show that after complete oxygen out-diffusion, the Si/SiC or Si/Si interfaces are sharp, and apparently defect-free. The BOX of commercial SOI has partially been diffused away. For all three substrate types, the thickness of top thin Si layers has become thinner and the Si was discovered under HRXTEM above the top Si. XPS results indicate that it only contains Si.

  • 14.
    Mardani, Shabnam
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Gustavsson, Fredrik
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Zhan, Shi-Li
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Electromigration behavior of Cu metallization interfacing with Ta versus TaN at high temperatures2016Inngår i: Journal of Vacuum Science & Technology B, ISSN 1071-1023, E-ISSN 1520-8567, Vol. 34, nr 6, artikkel-id 060603Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    High-temperature stability of Cu-based interconnects is of technological importance for electronic circuits based on wide band gap semiconductors. In this study, different metal stack combinations using Ta or TaN as capping- and/or barrier-layer, in the configuration cap/Cu/barrier, are evaluated electrically and morphologically prior to and after high-temperature treatments. The symmetric combinations Ta/Cu/Ta and TaN/Cu/TaN are characterized by a low and stable sheet resistance after annealing up to 700 °C. Asymmetric combinations of Ta/Cu/TaN and TaN/Cu/Ta, however, display an increase in sheet resistance values after annealing at 500 °C and above. This increase in sheet resistance is considered to result from Ta diffusion into the grain boundaries of the Cu film. The preliminary electromigration studies on the TaN/Cu/Ta and TaN/Cu/TaN structures show a twofold higher activation energy and a tenfold longer lifetime for the former, thus suggesting an important role of the interface between Cu and the cap and/or barrier.

    Fulltekst (pdf)
    fulltext
  • 15.
    Mardani, Shabnam
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Zhang, Shi-Li
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Influence of tantalum/tantalum nitride barriers and caps on the high-temperature properties of copper metallization for wide-band gap applications2015Inngår i: Microelectronic Engineering, ISSN 0167-9317, E-ISSN 1873-5568, Vol. 137, s. 37-42Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Electronic devices and circuits based on wide-band gap (WBG) semiconductors and intended for operation at temperatures significantly exceeding 300 degrees C are currently being developed. It is important that the adjunct metallization matches the high-temperature properties of the devices. In the case of the technologically important Cu metallization, the most frequently used cap and barrier layer materials are Ta, TaN and combinations of these. They stabilize the interconnects and prevent Cu from diffusing into the surrounding material. In this study, different combinations of Ta and TaN layers are evaluated electrically and morphologically after high-temperature treatments. The cap/Cu/barrier stack shows an appreciable increase in sheet resistance above 600 degrees C for the asymmetric combinations Ta/Cu/TaN and TaN/Cu/Ta. This degradation is shown to be closely related to a substantial diffusion of Ta across the Cu film and on to the TaN layer, where Ta1+xN forms. The symmetrical combinations Ta/Cu/Ta and TaN/Cu/TaN show only small changes in sheet resistance on even after anneals at 800 degrees C. A less pronounced Ta diffusion into the Cu film is found for the Ta/Cu/Ta combination. The experimental observations are interpreted in terms of Cu grain growth, Ta segregation in the Cu grain boundaries and morphological degradation of the Cu film.

  • 16.
    Mardani, Shabnam
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Zhang, Shi-Li
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    High-temperature Ta diffusion in the grain boundary of thin Cu films2016Inngår i: Journal of Vacuum Science & Technology B, ISSN 1071-1023, E-ISSN 1520-8567, Vol. 34, artikkel-id 040606Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    In order to ascertain the applicability of the technologically well-established Cu metallization in high-temperature circuits, the authors have investigated layered metal stacks having one Ta/Cu interface at temperatures from 400 to 700 degrees C. The authors have found that Ta releases from the Ta layer and moves through the Cu film to the opposite interface via the grain boundaries. In the simplest bilayer stack with Cu on top of Ta, the up-diffused Ta on the surface spreads out over the Cu grains so as to cover the Cu grains completely at 650 degrees C. The activation energy for the grain boundary diffusion is found to be 1.060.3 eV. The Ta diffusion in the grain boundaries leads to stabilization of the Cu grain size at 360 nm and an increase in sheet resistance of the metal stack. The latter is in fact observed for all metal stacks having Cu in contact with Ta on one side and TaN or nothing at all on the other. The implication is that the Cu metallization with one Ta/Cu interface has to be stabilized by a preanneal at the highest anticipated operating temperature before use.

  • 17.
    Martin, David
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Yantchev, Ventsislav
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Katardjiev, Ilia
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Thick NiSi Electrodes for AlN Electroacoustic Applications2009Inngår i: Electrochemical and solid-state letters, ISSN 1099-0062, E-ISSN 1944-8775, Vol. 12, nr 5, s. H182-H184Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Theuse of thick NiSi electrodes in electroacoustic resonators allows front-endintegration with integrated circuit technology. Problems are identified in theformation of thick nickel silicide (NiSi) electrodes via a singledeposition of Ni onto blank Si wafers. An alternative fabricationprocess based on the deposition and silicidation of a multilayerfilm is presented. The films were found to have lowresistivity and smooth surfaces, with the layered structure preserved evenafter silicidation. Textured piezoelectric films of (002) wurtzite AlN demonstrateda diffraction-peak width that narrows to 3.5° when deposited ona thick 10 pair NiSi film.

  • 18. Nemouchi, F
    et al.
    Mangelinck, D
    Bergman, C
    Gas, P
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Differential scanning calorimetry analysis of the linear parabolic growth of nanometric Ni suicide thin films on a Si substrate2005Inngår i: Applied Physics Letters, Vol. 86, nr 4, s. 041903-1Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 19.
    Olsson, Jörgen
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Silicon-on-SiC hybrid substrate with improved high-frequency and thermal performance2008Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 20.
    Olsson, Jörgen
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Silicon-on-SiC hybrid substrate with low RF-losses and improved thermal performance2008Inngår i: Proceedings of GHz Symposium, 2008, s. 79-Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 21.
    Olsson, Jörgen
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vallin, Örjan
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Sjöblom, Gustaf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Vestling, Lars
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Berg, Sören
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Novel Silicon-on-SiC Substrate with Superior Thermal and RF Performance2007Inngår i: Proceedings IEEE SOI conference, 2007, s. 115-116Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 22.
    Rydberg, Matts
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Materialvetenskap.
    Improvement of the Long-Term Stability of Polysilicon IC-Resistors by Fluorine Doping1997Inngår i: Materials Research Symposium. 472, 1997, s. 457-462Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 23.
    Rydberg, Matts
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Materialvetenskap.
    Influence on the Long-Term Stability of Polysilicon Resistors from Traces of Titanium and Tungsten2000Inngår i: J Electrochem Soc, Vol. 147, nr 9, s. 3487-3493Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 24.
    Rydberg, Matts
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Materialvetenskap.
    Long-term Stability and Electrical Properties of Compensation Doped Poly-Si IC-Resistors2000Inngår i: IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 47, nr 2, s. 417-426Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 25.
    Rydberg, Matts
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för materialvetenskap. Institutionen för teknikvetenskaper, Elektronik. Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap. Materialvetenskap.
    Sjödin, H
    Effect of post nitride-passivation processing on the long-term stability of polysilicon IC resistors2000Inngår i: J. Vac. Sci. Technol. B, Vol. 18, nr 2, s. 690-694Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 26. Seger, J
    et al.
    Jarmar, Tobias
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Ericson, Fredric
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Hållstedt, J
    Zhang, Z.-B.
    Zhang, S.-L.
    Influence of a Si layer intercalated between Si0.75Ge0.25 and Ni on the behavior of the resulting NiSi1-uGeu film2004Inngår i: Journal on Applied Physics, Vol. 96, s. 7179-7182Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 27. Seger, J.
    et al.
    Jarmar, Tobias
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Zhang,, Z.-B.
    Radamson,, H. H.
    Ericson, Fredric
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper. Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Fysiska sektionen, Institutionen för fysik och materialvetenskap, Materialvetenskap.
    Zhang,, S.-L.
    Morphological instability of NiSi1-uGeu on single-crystal and polycrystalline Si1-xGex2004Inngår i: Journal on Applied Physics, Vol. 96, s. 1919-1928Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 28.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Li, Lingguang
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    150 mm Silicon-on-polycrystalline-Silicon Carbide2010Inngår i: Proceedings of EUROSOI: Sixth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator / [ed] Sorin Cristoloveanu, Olivier Faynot, 2010, s. 101-102Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    150 mm Silicon-on-polycrystallin-Silicon Carbie (poly-SiC) bybrid substrate, without intermediate oxide layers have been realised by hydrophilic wafer bonding of SOI- and poly-SiC wafers. A novel rapid thermal treatment step was introduced before furnace annealing to avoid bubble formation, cracks and breakage. After removal of the Si handle and the buried oxide, the reamining Si device layer was shown to be stress free by Raman spectroscopy and X-ray diffraction (XRD) measurements.

  • 29.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Li, Ling-Guang
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    LDMOS transistors on Si-on-SiC hybrid substrates having crystalline or poly-crystalline SiC - Electrical and thermal characterization2009Inngår i: Proceedings of IEEE SOI conference, 2009Konferansepaper (Fagfellevurdert)
  • 30.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Lu, Jun
    Li, L. G.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Norström, Hans
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Thermal characterization of Silicon-on-SiC substrates2008Inngår i: Proceedings of IEEE International SOI Conference, 2008, s. 69-70Konferansepaper (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Thermal characterization of the new Si-on-SiC hybrid substrate has shown thermal properties superior in comparison with SOI. The thermal resistivity was shown to be a factor of four lower, and the lateral thermal spread was much more efficient, as is explained by the excellent heat conductivity of the SiC substrate. These results correspond well to the absence of MOSFET self-heating effects for the BaSiC. Transmission electron microscopy reveals a defect free bond and recrystallization of the amorphous silicon, which improves the heat conductivity.

  • 31.
    Vallin, Örjan
    et al.
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Martin, David
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Smith, Ulf
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Olsson, Jörgen
    Uppsala universitet, Teknisk-naturvetenskapliga vetenskapsområdet, Tekniska sektionen, Institutionen för teknikvetenskaper, Fasta tillståndets elektronik.
    Oxide free wafer bonding of silicon-on-silicon carbide substrates2008Konferansepaper (Fagfellevurdert)
1 - 31 of 31
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf